[实用新型]一种提高外量子效率的发光二极管有效

专利信息
申请号: 201020199397.9 申请日: 2010-05-21
公开(公告)号: CN201796947U 公开(公告)日: 2011-04-13
发明(设计)人: 苏宏波;邢其彬;杨丽敏 申请(专利权)人: 深圳市聚飞光电股份有限公司
主分类号: H01L33/48 分类号: H01L33/48;H01L33/52;H01L33/54
代理公司: 深圳鼎合诚知识产权代理有限公司 44281 代理人: 薛祥辉
地址: 518109 广东省深圳市宝安*** 国省代码: 广东;44
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摘要: 实用新型公开了一种提高外量子效率的发光二极管,包括LED芯片、以及带有反射腔的支架,所述LED芯片固定在所述反射腔的底部,所述反射腔内填充第一胶层和第二胶层;所述第一胶层覆盖在LED芯片上,且所述第一胶层的上表面为凸起的球面;所述第二胶层覆盖在所述第一胶层的上方,且所述第二胶层的折射率小于第一胶层的折射率。本实用新型利用不同的光传输介质之间的折射率差异,显著减小了光能进入不同介质时的全反射现象,有效提高了LED的外量子效率,减少了光能损耗。
搜索关键词: 一种 提高 量子 效率 发光二极管
【主权项】:
一种提高外量子效率的发光二极管,包括LED芯片、以及带有反射腔的支架,所述LED芯片固定在所述反射腔的底部,其特征在于,所述反射腔内填充第一胶层和第二胶层;第一胶层覆盖在LED芯片上,且所述第一胶层的上表面为凸起的球面;第二胶层覆盖在所述第一胶层的上方,且所述第二胶层的折射率小于第一胶层的折射率。
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