[发明专利]LDMOS结构无效
| 申请号： | 201010607832.1 | 申请日： | 2010-12-23 |
| 公开（公告）号： | CN102130173A | 公开（公告）日： | 2011-07-20 |
| 发明（设计）人： | 张立君;程玉华 | 申请（专利权）人： | 上海北京大学微电子研究院 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/10 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了DMOS结构及其制造方法，以提高击穿电压，其中该DMOS结构，涉及半导体60V BCD工艺中的高压器件领域，具体涉及一种带金属场板的LDMOS器件结构，此结构在不改变器件尺寸，对导通电阻及饱和电流影响较小的情况下，大幅度提高了器件的击穿电压。该方法包括调整POLY和金属场板尺寸及栅极的个数，使得器件性能参数得到较大改善。 | ||
| 搜索关键词： | ldmos 结构 | ||
【主权项】：
一种可以有效提高器件击穿特性的横向双扩散金属氧化物半导体场效应管结构，包括金属场板和双栅结构，其特征在于，不改变器件尺寸，对导通电阻及饱和电流影响较小的情况下，大幅度提高了器件的击穿电压。
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