[发明专利]氮化镓基高电子迁移率晶体管及其制作方法有效
| 申请号： | 201010603961.3 | 申请日： | 2010-12-24 |
| 公开（公告）号： | CN102544086A | 公开（公告）日： | 2012-07-04 |
| 发明（设计）人： | 张洪月;曲爽;李树强;王成新;徐现刚 | 申请（专利权）人： | 山东华光光电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L29/205;H01L21/335 |
| 代理公司： | 济南金迪知识产权代理有限公司 37219 | 代理人： | 许德山 |
| 地址： | 250101 山东*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | 本发明涉及氮化镓基高电子迁移率晶体管及其制作方法，其中晶体管结构包括在衬底上生长有一铝氮缓冲层，在铝氮缓冲层上生长有一高阻氮化镓层，在高阻氮化镓层上生长有一高迁移率氮化镓沟道层，其特征在于，在高迁移率氮化镓沟道层上生长有一铟氮插入层，该铟氮插入层上生长有一铝氮插入层；在铝氮插入层上生长有一非故意掺杂铝镓氮层，所述铝氮插入层和非故意掺杂铝镓氮层共同形成势垒层。本发明利用铟氮插入层有效减少合金散射，增加高电子迁移率晶体管电子迁移率和电子浓度，提高晶体管器件的稳定性和可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 氮化 镓基高 电子 迁移率 晶体管 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
一种氮化镓基高电子迁移率晶体管，其中晶体管结构包括：在衬底上生长有一铝氮缓冲层，在铝氮缓冲层上生长有一高阻氮化镓层，在高阻氮化镓层上生长有一高迁移率氮化镓沟道层，其特征在于，在高迁移率氮化镓沟道层上生长有一铟氮插入层，该铟氮插入层上生长有一铝氮插入层；在铝氮插入层上生长有一非故意掺杂铝镓氮层，所述铝氮插入层和非故意掺杂铝镓氮层共同形成势垒层。
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