[发明专利]磁控源和磁控溅射设备、以及磁控溅射方法有效
| 申请号： | 201010583271.6 | 申请日： | 2010-12-10 |
| 公开（公告）号： | CN102560387A | 公开（公告）日： | 2012-07-11 |
| 发明（设计）人： | 耿波;李杨超;边国栋;武学伟;邱国庆 | 申请（专利权）人： | 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 |
| 主分类号： | C23C14/35 | 分类号： | C23C14/35 |
| 代理公司： | 北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙) 11201 | 代理人： | 张大威 |
| 地址： | 100015 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提出一种磁控源，包括：靶材；磁控管，所述磁控管位于所述靶材上方；和扫描机构，所述扫描机构与磁控管相连以控制所述磁控管围绕所述靶材的中心转动，且所述扫描机构通过控制所述磁控管的转速以调整所述磁控管的转动半径。本发明实施例可利用离心水平力的原理，通过控制磁控管的转速来改变磁控管的转动半径，从而可对磁控管的轨迹和转动速度同时进行有效控制，因此有利于调整晶片不同区域薄膜的沉积厚度。 | ||
| 搜索关键词： | 磁控源 磁控溅射 设备 以及 方法 | ||
【主权项】：
一种磁控源，其特征在于，包括：靶材；磁控管，所述磁控管位于所述靶材上方；和扫描机构，所述扫描机构与磁控管相连以控制所述磁控管围绕所述靶材的中心转动，且所述扫描机构通过控制所述磁控管的转速以调整所述磁控管的转动半径。
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