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[发明专利]一种汽车倒车摄像头防污装置、控制方法及汽车-CN202310896206.6在审
发明人： 李杨超;吴巍;蒋欣霖;吴鹏 -专利权人：重庆赛力斯新能源汽车设计院有限公司
申请日： 2023-07-20 - 公布日： 2023-10-10 - 主分类号： B60S1/56 文献下载
摘要：本申请涉及汽车技术领域，提供了一种汽车倒车摄像头防污装置、控制方法及汽车。该装置包括：清洁仓，具有开口的空腔并设于靠近倒车摄像头的位置，空腔内设有喷液口和吹风口；两个镜片，沿平面并排连接并转动连接于清洁仓上，两个镜片分别位于倒车摄像头前和空腔内；旋转马达，驱动两个镜片转动；软质仓门，设置于清洁仓的开口上并具有门缝；清洁件，设置于空腔内壁上；喷液器与喷液口连通并且能够通过该喷液口向空腔内喷射液体；吹风机与吹风口连通并且能够通过该吹风口向空腔内吹风；控制器，分别与该旋转马达、喷液器和吹风机连接。本申请具有自动清洁倒车摄像头前镜片的效果，保证倒车摄像头的正常使用，提高了汽车驾驶的安全性。
一种汽车倒车摄像头防污装置控制方法

[实用新型]钻孔雕花装饰板安装结构-CN202221672225.8有效
发明人：刘小飞;闫延楠;刘书坛;李杨超;陈兴堔;季志永;王昊;闫世莊 -专利权人：河南三建装配式建筑科技有限公司
申请日： 2022-06-30 - 公布日： 2022-12-02 - 主分类号： E04F13/24 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种钻孔雕花装饰板安装结构，包括钻孔雕花装饰板；所述钻孔雕花装饰板的周边带有折边，用于通过螺钉从侧面安装到预先固定到墙面上的基础框架上；从所述墙面至所述钻孔雕花装饰板本体之间依次设有条形灯带、光扩散板、反光膜；所述条形灯带有多个，相互平行的、间隔均布的设置在所述基础框架中部；所述光扩散板的周边粘接在所述基础框架的外端面上；所述反光膜粘接在所述钻孔雕花装饰板内侧，其开设有与所述钻孔雕花装饰板上的钻孔对应的透光孔。本实用新型可以使钻孔雕花装饰板的光线分布均匀，避免装饰图案的光亮度不一致现象，并且光损少，亮度高。
钻孔雕花装饰安装结构

[实用新型]一种RIO电路板功能测试设备-CN201821985214.9有效
发明人： 李杨超;杨观伟;钟平;曹春华 -专利权人：深圳市微特自动化设备有限公司
申请日： 2018-11-29 - 公布日： 2019-08-16 - 主分类号： G01R31/28 文献下载
摘要：本实用新型涉及电路板测试技术领域，具体涉及一种RIO电路板功能测试设备，包括机架，设置于机架表面的RIO测试机构，安装于机架靠近RIO测试机构的MLB测试机构，安装于机架靠近MLB测试机构的MIC测试机构，所述MIC测试机构连接电池机构，所述机架设置防护罩，所述防护罩将RIO测试机构、MLB测试机构和MIC测试机构罩设，其靠近RIO测试机构设置有安全光栅机构；本实用新型测试效果好，测试精度高，测试效率高。
测试机构防护罩本实用新型电路板功能测试设备电路板测试安全光栅测试效果测试效率电池机构机架表面罩设测试

[发明专利]用于检测绝缘环的检测装置及等离子体加工设备-CN201310738716.7在审
发明人：赵可可;李杨超;佘清 -专利权人：北京北方华创微电子装备有限公司
申请日： 2013-12-29 - 公布日： 2015-07-01 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：本发明提供一种用于检测绝缘环的检测装置及等离子体加工设备，该检测装置包括检测单元和与之电连接的检测电路，其中，检测单元采用导电材料制成，其设置在绝缘环的上表面上，检测单元与检测电路形成闭合回路，用以通过检测导电回路中的电流值和/或电压值相对闭合回路中的原电流值和/或原电压值是否发生突变来检测绝缘环状态。本发明提供的用于检测绝缘环的检测装置，其不仅可以避免对绝缘环和静电卡盘造成损坏，从而可以降低生产成本、提高经济效益；而且可以提高工艺过程的稳定性，从而可以提高工艺质量。
用于检测绝缘装置等离子体加工设备

[发明专利]磁控组件和磁控溅射设备-CN201310739572.7在审
发明人： 李杨超 -专利权人：北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司
申请日： 2013-12-29 - 公布日： 2015-07-01 - 主分类号： C23C14/35 文献下载
摘要：一种磁控组件，该磁控组件包括磁体和驱动轴和控制机构，所述控制机构与所述驱动轴相连，所述磁体设置在所述控制机构上，所述控制机构包括动外齿轮和定齿轮件，所述定齿轮件能够相对于待溅射靶材固定设置，所述动外齿轮的轮齿与所述定齿轮件的轮齿啮合，且所述动外齿轮与所述驱动轴相连，所述磁体与所述动外齿轮相连，以在所述动外齿轮的带动下在所述靶材的上方移动。本发明还提供一种包括所述磁控组件的磁控溅射设备。在本发明中，通过定齿轮件和动外齿轮的啮合可以使磁体既绕驱动轴的中心轴线转动，又绕动外齿轮的中心轴线转动，从而可实现磁体的运动轨迹覆盖靶材的大部分区域。并且，本发明所提供的磁控组件结构简单。
组件磁控溅射设备

[发明专利]磁控管组件及磁控溅射设备-CN201310029452.8有效
发明人： 李杨超;王厚工;边国栋;耿波;吕峰 -专利权人：北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司
申请日： 2013-01-25 - 公布日： 2014-08-06 - 主分类号： H01J37/34 文献下载
摘要：本发明提供一种磁控管组件及磁控溅射设备，包括磁轭背板以及排列在所述磁轭背板上以形成预定形状的磁控管的磁体，并且在所述磁轭背板上设置有贯穿其厚度的多个背板通孔，每个所述磁体与所述多个背板通孔中的其中一个可旋转地连接，并且所述磁体相对于所述背板通孔旋转的旋转轴偏离所述磁体的中心轴，且与所述背板通孔的轴线重合。本发明提供的磁控管组件无需采用磁铁连接件就可以单独调整每个磁体与磁轭背板之间的相对位置，从而不仅调整过程简单、灵活性好，而且还可以降低加工难度以及制造和加工成本；此外，由于调整磁体排列的形状的最小调整量较小，从而可以获得较为准确又平滑的磁控管的形状。
磁控管组件磁控溅射设备

[发明专利]磁控管以及应用该磁控管的磁控溅射设备-CN201210562303.3有效
发明人： 李杨超;王厚工;耿波;吕峰 -专利权人：北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司
申请日： 2012-12-21 - 公布日： 2014-06-25 - 主分类号： H01J25/50 文献下载
摘要：本发明提供一种磁控管和磁控溅射设备，包括极性相反的外磁极和内磁极，其中，在垂直于所述磁控管的径向截面上，所述内磁极为由两段螺旋线首尾串接而形成的不对称的闭合环形，且该螺旋线遵循下述极坐标方程：r＝a×θⁿ+b×(cosθ)^m+c×(tanθ)^k+d，其中，r和θ为极坐标，n，m和k分别为θ、cosθ和tanθ的指数，且-2＜n＜2，-2＜m＜2，-2＜k＜2；而且，所述内磁极和与之形状相对应的外磁极相互不接触地嵌套在一起，以在二者之间形成闭合且不对称的通道；并且，该通道在磁控管扫描靶材表面时经过靶材的中心和边缘。本发明提供一种磁控管，不仅可以实现采用较低的溅射气压就能够满足启辉和维持等离子体的工艺条件，而且还可以提高薄膜厚度在基片径向方向上的均匀性，从而可以提高成膜质量。
磁控管以及应用磁控溅射设备

[发明专利]薄膜沉积装置及薄膜沉积方法-CN201210250738.4有效
发明人：王厚工;丁培军;耿波;李杨超;武学伟 -专利权人：北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司
申请日： 2012-07-19 - 公布日： 2014-02-12 - 主分类号： C23C14/54 文献下载
摘要：本发明提供一种薄膜沉积装置及薄膜沉积方法，薄膜沉积装置包括反应腔室、靶材、晶圆支撑装置、能量控制器以及与所述靶材电连接的功率源，所述功率源设置在所述反应腔室外，所述靶材设置在所述反应腔室内的顶部，所述晶圆支撑装置设置在所述反应腔室内的底部并与所述靶材相对，所述能量控制器设置在所述靶材和所述晶圆支撑装置之间并接地，而且在所述能量控制器上设有贯穿其厚度的多个通孔，所述通孔的内径小于分子碰撞的平均自由程。该薄膜沉积装置可以减少晶圆表面的损伤。
薄膜沉积装置方法

[发明专利]磁控溅射设备及磁控管控制方法-CN201210152625.0有效
发明人：陈春伟;夏威;李杨超 -专利权人：北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司
申请日： 2012-05-16 - 公布日： 2013-12-04 - 主分类号： C23C14/35 文献下载
摘要：本发明提供一种磁控溅射设备及磁控管控制方法，磁控溅射设备包括反应腔室、靶材、磁控管、驱动机构、磁控管定位单元以及控制装置，驱动机构与控制装置连接，并根据控制装置的控制信号控制磁控管的自转速度和公转速度，磁控管定位单元用于确定磁控管的初始位置，控制装置用于根据初始位置确定磁控管的运转周期，并根据运转周期控制控制驱动机构的自转速度和公转速度，从而在磁控管通过靶材各个位置次数不变的前提下，控制磁控管在靶材单位面积上停留的时间，以提高靶材的刻蚀均匀性。该磁控溅射设备可以提高靶材的利用率，从而降低磁控溅射设备的运行成本；而且可以减少更换靶材的时间，从而提高磁控溅射设备的使用率。
磁控溅射设备磁控管控制方法

[发明专利]一种磁控溅射源及磁控溅射设备-CN201210038271.7有效
发明人： 李杨超;刘旭 -专利权人：北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司
申请日： 2012-02-20 - 公布日： 2013-08-21 - 主分类号： C23C14/35 文献下载
摘要：本发明提供一种磁控溅射源及磁控溅射设备，磁控溅射源包括靶材、固定件、磁控管以及驱动机构，靶材和驱动机构固定在固定件上，磁控管与驱动机构连接，而且磁控管紧靠靶材的表面，在驱动机构的驱动下磁控管对靶材的表面进行扫描，驱动机构包括旋转驱动机构和直线驱动机构，其中：旋转驱动机构用于驱动磁控管在靶材的表面作旋转运动，直线驱动机构用于驱动磁控管在靶材的表面作直线往复运动；在旋转驱动机构和直线驱动机构的共同作用下，磁控管在靶材的表面进行旋转运动的同时作直线往复运动。该磁控溅射源可以准确地控制磁控管的扫描轨迹以及在不同位置的停留时间，从而使靶材均匀腐蚀，提高靶材的利用率。
一种磁控溅射设备

[发明专利]磁控源和磁控溅射设备-CN201110343552.9有效
发明人： 李杨超;刘旭 -专利权人：北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司
申请日： 2011-11-03 - 公布日： 2013-05-08 - 主分类号： C23C14/35 文献下载
摘要：本发明公开了一种磁控源及具有该磁控源的磁控溅射设备。磁控源包括：靶材；位于靶材上方的磁控管；和与所述磁控管相连以控制所述磁控管在所述靶材上方移动的扫描机构，其中扫描机构包括：驱动器、驱动轴和主动齿轮、连杆、从动轴和从动齿轮、凸轮、导轨、滚轮、和弹性件。根据本发明实施例的磁控源，通过调整驱动轴与从动轴之间的距离，在磁控管绕凸轮运动时可以调整磁控管在靶材外围和中心处的扫描速度，从而可以提高靶材外圈的刻蚀深度，可以降低薄膜沉积时颗粒产生，提高薄膜均匀性和靶材利用率。此外，根据本发明实施例的磁控源具有结构稳定、传动平稳、操作简单的优点，因此增加了其实用性。
磁控源磁控溅射设备

[发明专利]一种磁控管、磁控管的制造方法及物理沉积室-CN201110129406.6有效
发明人： 李杨超;耿波;武学伟;邱国庆;刘旭 -专利权人：北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司
申请日： 2011-05-18 - 公布日： 2012-11-21 - 主分类号： H01J23/10 文献下载
摘要：本发明提供一种磁控管、磁控管的制造方法及应用上述磁控管的物理沉积室。其中，本发明提供的磁控管包括可绕靶材中心轴旋转的极性方向相反的内磁极和外磁极，内磁极设置于外磁极的内部，在内、外磁极之间形成闭合曲线形的磁场轨道，由中心轴发射出去的任一角度的半径与磁场轨道有且仅有一次相交；磁控管绕中心轴旋转过程中，上述磁场轨道使靶材表面任一单位面积所获得的磁场扫描强度大致相等，从而有效提高靶材的利用率以及工艺的均匀性。利用本发明所提供的磁控管制造方法所制造的磁控管以及本发明提供的物理沉积室同样能够有效提高靶材利用率及工艺均匀性。
一种磁控管制造方法物理沉积

[发明专利]一种磁控管、磁控管的制造方法及物理沉积室-CN201110128880.7有效
发明人：耿波;李杨超;武学伟;丁培军 -专利权人：北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司
申请日： 2011-05-18 - 公布日： 2012-11-21 - 主分类号： H01J25/50 文献下载
摘要：本发明提供一种磁控管、磁控管的制造方法及物理沉积室。其中，磁控管包括可绕靶材中心轴旋转的极性方向相反的内磁极和外磁极，内磁极为螺旋线形且设置于外磁极的内部，在内、外磁极之间形成包围内磁极的磁场轨道，由中心轴发射出去的任一角度的半径与磁场轨道相交一次或两次；磁控管绕中心轴旋转过程中，磁场轨道使靶材表面任一单位面积所获得的磁场扫描强度大致相等。利用上述磁控管进行磁控溅射工艺时，可实现对靶材径向的均匀腐蚀，从而可有效提高靶材的利用率及相关工艺的均匀性。此外，利用本发明提供的磁控管制造方法所获得的磁控管以及本发明提供的物理沉积室具有与上述磁控管相同或类似的优点。
一种磁控管制造方法物理沉积

[发明专利]磁极组件及具有它的磁控管、溅射室装置和基片处理设备-CN201110084073.X有效
发明人：耿波;李杨超;边国栋;杨玉杰;李栋才 -专利权人：北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司
申请日： 2011-04-02 - 公布日： 2012-10-17 - 主分类号： H01J23/087 文献下载
摘要：一种磁极组件、具有它的磁控管、溅射室装置和基片处理设备。磁极组件包括：间隔地排列的多个磁铁；和分别安装在多个磁铁的第一端以将所述多个磁铁依次连接起来的多个磁极件，其中每个磁极件相对于与其相连的所述磁铁可转动且相邻的所述磁极件彼此相对可转动。根据本发明的磁极组件，由于每个所述磁极件相对于与其相连的磁铁可转动且相邻的所述磁极件彼此相对可转动，因此可以方便地改变形状，从而在将其分别作为内磁极组件和外磁极组件安装在磁轭上以组装磁控管时，可以通过与磁轭的配合能够实现方便地改变磁控管的形状以优化靶材的刻蚀效果，而无需重新设计磁控管。
磁极组件具有磁控管溅射装置处理设备

[发明专利]磁控管和半导体设备-CN201110027343.3有效
发明人：耿波;李杨超;张阳;武学伟;丁培军 -专利权人：北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司
申请日： 2011-01-25 - 公布日： 2012-07-25 - 主分类号： H01J25/50 文献下载
摘要：本发明公开了一种磁控管和半导体设备。该磁控管包括：磁轭、内磁极、外磁极、内磁极件和外磁极件，内磁极和外磁极设置于磁轭之上，外磁极围绕于内磁极的周围，内磁极件设置于内磁极之上，外磁极件设置于外磁极之上，所述内磁极件的磁力线发射面和所述外磁极件的磁力线发射面均为坡面。本发明中内磁极件的磁力线发射面和外磁极件的磁力线发射面均为坡面，提高了磁力线包络边缘区域的磁场强度水平分量值，使该边缘区域对应的靶材的腐蚀深度变深，以及降低了磁力线包络中心区域的磁场强度水平分量值使该中心区域对应的靶材的腐蚀深度变浅，进而提高靶材上腐蚀区域的宽度和降低腐蚀区域的深度，且提高了靶材的利用率和靶材上腐蚀区域的均匀性。
磁控管半导体设备

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