[发明专利]记忆体及与非门快闪记忆体的低电压程序化方法

摘要

本发明是有关于一种记忆体及与非门快闪记忆体的低电压程序化方法，该记忆体，包含多个记忆胞串联安排于一半导体主体中，例如与非门串列中，具有多条字元线。一所选取记忆胞藉由热载子注入进行程序化。此程序化操作是基于控制介于此与非门串列中所选取记忆胞的第一侧的一第一半导体主体区域与该与非门串列的该选取记忆胞的第二侧的一第二半导体主体区域的载子流动。施加高于热载子注入能障的程序化电位至所选取记忆胞，且之后通过所选取记忆胞的漏极至源极电压及所选取记忆胞中的载子流动到达足以支持热载子注入的阶级，其是由与该选取记忆胞邻接的切换记忆胞控制。

主权项

一种记忆体，其特征在于其包含：多个记忆胞串联安排于一半导体主体中；多条字元线，该多条字元线中的字元线与对应的该多个记忆胞中的记忆胞耦接；以及控制电路与多条位元线耦接，以适合利用下列步骤对一所选取字元线对应的该多个记忆胞中的一选取记忆胞进行程序化：在一程序化区间时偏压该多个记忆胞的第一及第二侧之一至一漏极端电压，且偏压该第一及第二侧的另一者至一源极端电压；在该程序化区间时施加漏极端导通电压至介于该所选取字元线与该第一及第二侧的一者之间的字元线；在该程序化区间时施加源极端导通电压至介于该所选取字元线与该第一及第二侧的另一者之间的字元线；在该程序化区间时施加一程序化电压至该所选取字元线；及施加一切换电压至与该所选取字元线及其对应的选取记忆胞邻接的字元线及其对应的记忆胞，以控制在该程序化区间时的电导。