[发明专利]一种闪存器件及其形成方法有效
| 申请号： | 201010296053.4 | 申请日： | 2010-09-28 |
| 公开（公告）号： | CN102420232A | 公开（公告）日： | 2012-04-18 |
| 发明（设计）人： | 朱慧珑;尹海洲;骆志炯 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L27/115 | 分类号： | H01L27/115;H01L29/78;H01L21/8247 |
| 代理公司： | 北京市立方律师事务所 11330 | 代理人： | 马佑平 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种FinFET闪存器件及其形成方法。闪存器件位于绝缘层之上，包括：第一鳍片和第二鳍片，其中所述第二鳍片为所述器件的控制栅；栅介质层，位于所述第一鳍片和第二鳍片的侧壁和顶部；浮栅，位于所述栅介质层上且横跨所述第一鳍片和第二鳍片；源/漏区，位于所述浮栅两侧的所述第一鳍片内。采用本发明，可以实现与FinFET器件的完全兼容，同时能够降低制造成本。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 闪存 器件 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
一种闪存器件，位于绝缘层之上，包括：第一鳍片和第二鳍片，其中所述第二鳍片为所述器件的控制栅；栅介质层，位于所述第一鳍片和第二鳍片的侧壁和顶部；浮栅，位于所述栅介质层上且横跨所述第一鳍片和第二鳍片；源/漏区，位于所述浮栅两侧的所述第一鳍片内。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
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