[发明专利]一种利用电子束辐射改性芯片的方法有效
| 申请号： | 201010195575.5 | 申请日： | 2010-06-08 |
| 公开（公告）号： | CN101894746A | 公开（公告）日： | 2010-11-24 |
| 发明（设计）人： | 施惠栋;沈军渭;孙创成 | 申请（专利权）人： | 宁波超能科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/263 | 分类号： | H01L21/263;H01L21/66 |
| 代理公司： | 上海信好专利代理事务所(普通合伙) 31249 | 代理人： | 张妍 |
| 地址： | 315470 浙江*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明提供一种利用电子束辐射改性芯片的方法，其包含以下步骤：1.按不同芯片的开关时间分类芯片；2.选择辐射改性的辐射剂量；3.调整电子加速器参数；4.根据辐射剂量与传送带的传送速度的关系，调节传送带的传送速度以调节辐射剂量；5.电子加速器对芯片进行批量辐射；6.对经辐射后的芯片进行抽样检测，判断芯片的电气参数是否合格；7.对芯片进行退火处理。本发明利用电子束辐射改性芯片的方法和现有技术相比，其优点在于，本发明采用电子加速器产生的一定能量和剂量的电子束对芯片进行辐射，使芯片改性，工序简单，产品合格率高，成本低。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 利用 电子束 辐射改性 芯片 方法 | ||
【主权项】：
一种利用电子束辐射改性芯片的方法，其特征在于，该方法包含以下步骤：步骤1按不同芯片的开关时间ts分类芯片；步骤2选择辐射改性的辐射剂量D；步骤3调整电子加速器参数；所述电子加速器包含低能电子加速器、中能电子加速器和高能电子加速器；所述低能电子加速器的能量为0.15至0.5MeV；中能电子加速器的能量为0.5至5MeV；高能电子加速器的能量为5至10MeV；步骤4根据辐射剂量D与传送带的传送速度的关系，调节传送带的传送速度以调节辐射剂量D；步骤5电子加速器对芯片进行批量辐射，使开关时间ts控制在芯片制造工艺范围内，控制精度在±0.5μs范围内、放大倍数hFE下降在10％范围内，以及击穿电压BVCBO下降在5％范围内；步骤6对经辐射后的芯片进行抽样检测，判断芯片的电气参数是否合格，若是，则跳转至步骤7，若否，则跳转至步骤2；步骤7对芯片进行退火处理，以稳定芯片改性后的电气参数。
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- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
