[发明专利]非晶硅/晶硅异质结太阳能电池制备方法无效
申请号: | 201010186962.2 | 申请日: | 2010-05-26 |
公开(公告)号: | CN101866991A | 公开(公告)日: | 2010-10-20 |
发明(设计)人: | 曾祥斌;曾瑜;张笑;姜礼华;李民英;陈宇 | 申请(专利权)人: | 广东志成冠军集团有限公司 |
主分类号: | H01L31/20 | 分类号: | H01L31/20 |
代理公司: | 北京连城创新知识产权代理有限公司 11254 | 代理人: | 刘伍堂 |
地址: | 523718 *** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | 本发明属于太阳能电池器件制备技术领域,涉及一种非晶硅/晶硅异质结太阳能电池及其制备方法。本发明对制备好铝背电极的单晶硅片进行绒面处理后,用用NH3处理单晶硅表面,然后再进行本征非晶硅薄膜、掺杂非晶硅薄膜、透明导电薄膜的沉积,最后再制备Ag栅极。使用本发明制作的太阳能电池结构简单,并且工艺程序不复杂;另外利用NH3处理单晶硅表面,降低界面隙态密度,有效提高界面质量;采用丝网印刷快速热退火形成铝背电极,代替了在背面沉积高掺杂非晶硅薄膜,避免了在双面沉积过程中不同掺杂类型带来的交叉污染和界面破坏,易于实现。 | ||
搜索关键词: | 非晶硅 晶硅异质结 太阳能电池 制备 方法 | ||
【主权项】:
非晶硅/晶硅异质结太阳能电池制备方法,其特征在于,制备步骤为:(1)用RCA方法清洗双面抛光p(n)型单晶硅片;(2)以SA-6070号铝浆作为原料,在上述已清洗单晶硅片背面丝网印刷铝浆,然后在通氧条件下,700℃±20℃快速热退火1~2min,形成有欧姆接触的金属Al背电极;(3)用1%~2%HF溶液清洗已有铝背电极的p(n)型单晶硅片,经大量去离子水冲洗后,放入腐蚀液进行绒面制备,腐蚀不少于25min后取出单晶硅片,并用大量去离子水冲洗;(4)迅速将经氮气风干的单晶硅片放入PECVD真空室中,真空室本底真空度为3~6×10-4Pa,用NH3处理单晶硅表面;(5)在硅片温度为200℃~220℃条件下,以硅烷为反应气体,在上述经NH3处理的p(n)型单晶硅片上沉积厚度为5~10nm的本征非晶硅薄膜;(6)以磷烷和硅烷或硼烷和硅烷为反应气体,在上述的本征非晶硅薄膜/p(n)型单晶硅上,沉积厚度为18~25nm的n(p)型掺杂非晶硅薄膜;(7)在上述n(p)型掺杂非晶硅薄膜/本征非晶硅薄膜/p(n)型单晶硅上沉积厚度为80~100nm,透过率≥85%,方块电阻为30~50Ω的透明导电薄膜;(8)在上述透明导电膜上制备Ag栅极。
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- 本实用新型公开了一种用于制备HIBC电池的异质结非晶硅层的掩膜板,包括:底座和盖板。所述底座包括容置凹槽,所述容置凹槽用于容置HIBC电池中待沉积异质结非晶硅层的基底。所述盖板覆设在所述底座上,所述盖板上设置有露出所述容置凹槽的开口,开口上设置有多个间隔排列的遮挡件,遮挡件将开口划分为交错间隔的遮挡区和开口区。在制备P区时,遮挡区用于遮挡P区和所述N区的间隔区域以及N区;在制备N区时,遮挡区用于遮挡P区和N区的间隔区域以及P区。所述掩膜板可避免对其他工序生成的非晶硅层的特性产生影响,起到保护已生成的非晶硅层的作用;而且所述掩膜板结构简易,操作难度低,有利于提高生产效率。
- 一种基于3D打印技术制备的超轻结构太阳能电池-201611117153.X
- 贺晓宁 - 深圳摩方材料科技有限公司
- 2016-12-07 - 2018-06-01 - H01L31/20
- 本发明提供一种基于3D打印技术制备的超轻结构太阳能电池。包括以下步骤:步骤A:选择基板,再在基板表面均匀涂布感光光刻胶;步骤B:利用3D打印机在得到的涂布有光刻胶的基板上确定曝光区域,对曝光区域进行固化;步骤C:对光刻胶进行显影、定影处理,对固化部分进行进一步固化、强化,并对未固化部分清洗去除;步骤D:在制备有光刻图案的基板上沉积薄膜太阳能电池;步骤E:循环重复上述步骤B到步骤D过程,清洗去除所有固化光刻胶,得到超轻结构太阳能电池。本发明一方面具有超轻材料密度极低的特征,另一方面具有太阳能电池将太阳能转换为电能的能力。
- 一种背接触异质结单晶硅太阳能电池及其制作方法-201610832552.8
- 张振刚;萧生刚;宋江;刘万满 - 深圳市科纳能薄膜科技有限公司
- 2016-09-20 - 2018-03-20 - H01L31/20
- 本发明适用于太阳能光伏技术领域,提供了一种背接触异质结单晶硅太阳能电池及其制作方法,所述方法包括在非晶硅层表面,通过第一镀膜技术形成一层透明导电氧化物层;在透明导电氧化物层表面,通过第二镀膜技术形成一层金属层;通过激光划线技术,按照预设的金属电极图案,在金属层上进行激光划线,在所述金属层形成包括主电极和栅线电极的金属电极图案。通过在非晶硅层与金属层中间镀一层透明导电氧化物层,再结合不同的激光特性,进行激光划线,可以避免激光划线过程中对非晶硅和硅基底的损伤,同时可有效避免金属对硅的扩散,并且相对于现有技术,本发明工艺流程较为简单,且可以采用铝等廉价金属材料,降低了电池制作成本,可以达到量产的目的。
- 一种用于制备HIBC电池的异质结非晶硅层的掩膜板-201711181087.7
- 卢刚;张治;杨振英;何凤琴;郑璐;张敏 - 青海黄河上游水电开发有限责任公司光伏产业技术分公司
- 2017-11-23 - 2018-03-09 - H01L31/20
- 本发明公开了一种用于制备HIBC电池的异质结非晶硅层的掩膜板,包括底座和盖板。所述底座包括容置凹槽,所述容置凹槽用于容置HIBC电池中待沉积异质结非晶硅层的基底。所述盖板覆设在所述底座上,所述盖板上设置有露出所述容置凹槽的开口,开口上设置有多个间隔排列的遮挡件,遮挡件将开口划分为交错间隔的遮挡区和开口区。在制备P区时,遮挡区用于遮挡P区和所述N区的间隔区域以及N区;在制备N区时,遮挡区用于遮挡P区和N区的间隔区域以及P区。所述掩膜板可避免对其他工序生成的非晶硅层的特性产生影响,起到保护已生成的非晶硅层的作用;而且所述掩膜板结构简易,操作难度低,有利于提高生产效率。
- 非晶硅太阳能电池生产方法-201611059852.3
- 黄俊翰;龚利平 - 蓬安金石光电科技有限公司
- 2016-11-28 - 2017-12-12 - H01L31/20
- 本发明公开了一种非晶硅太阳能电池生产方法,其特征在于按下列步骤,(1)红激光刻膜,(2)装片预热,(3)非晶硅的沉积,(4)绿激光切割,(5)印刷、固化,(6)切割,(7)检测。本发明去掉传统工艺中印刷耐酸油墨和剥墨显影工序,缩减了生产时间,本发明通过生产工艺改进,使PIO层中的P层加厚,凹凸面增大增多,P层的放电时间增加2‑4分钟,温度降15±5℃左右,碳浆里面加银浆,这样不但电流上去了,其附着力比先前更好,生产出来的产品性能稳定,附着力提升10‑16%、电阻下降2‑6%,电流增加4‑11%。
- 非晶硅薄膜太阳能电池的反向电压修复系统及方法-201710451986.8
- 郭锋;李兆廷;王恩忠;高立伟;臧显峰 - 宁夏旭唐新材料科技有限公司;东旭集团有限公司
- 2017-06-15 - 2017-08-25 - H01L31/20
- 本发明是关于一种非晶硅薄膜太阳能电池的反向电压修复系统及其方法,修复系统其包括人机界面、工业以太网交换机、数据采集模块、继电器控制模块、可调光源和电池组;人机界面显示数据采集模块采集的电池组工作电压以及对电池组施加反向电压的控制按键;工业以太网交换机将数据采集模块采集的电池组工作电压传输至人机界面;数据采集模块采集电池组工作电压;继电器控制模块根据人机界面生成的控制指令控制对应继电器的工作状态,通过继电器的工作状态变化确定对所述电池组施加反向电压;可调光源对电池组进行弱光照射使其产生电压;本发明修复系统对电池的短路修复效果明显,提高了电池的利用率,利用工业化生产,操作简单。
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的