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[发明专利]背接触异质结太阳能电池及其制备方法-CN202210392892.9在审
发明人： 萧生刚;刘万满 -专利权人：深圳市科纳能薄膜科技有限公司
申请日： 2022-04-15 - 公布日： 2022-07-29 - 主分类号： H01L31/0224 文献下载
摘要：本发明公开了一种背接触异质结太阳能电池及其制备方法，涉及太阳能光伏领域。该方法包括将硅片定位后放置于金属掩模板的一侧表面；将磁性件定位后放置于所述硅片的背离所述金属掩模板的一侧表面，以将所述硅片与所述金属掩模板固定；通过所述金属掩模板在所述硅片上完成镀膜，形成所述背接触异质结太阳能电池的发射极和基极。本发明解决了如何降低制作背接触异质结太阳能电池的制作成本的问题，实现了金属掩模代替光刻胶制作背接触异质结太阳能电池，提高了制造背接触异质结太阳能电池的效率，降低了硅片镀膜的成本。
接触异质结太阳能电池及其制备方法

[发明专利]一种提升钙钛矿太阳能电池稳定性的方法-CN202210277421.3在审
发明人：刘万满;萧生刚;张哲星 -专利权人：夏禹纳米科技（深圳）有限公司;深圳市科纳能薄膜科技有限公司
申请日： 2022-03-21 - 公布日： 2022-06-21 - 主分类号： H01L51/48 文献下载
摘要：本发明涉及钙钛矿电池技术领域，且公开了一种提升钙钛矿太阳能电池稳定性的方法，包括蒸发室、裂解室、镀膜腔室、真空系统、真空计、专用治具和钙钛矿电池，所述蒸发室通过管道与裂解室连接，所述裂解室通过管道与镀膜腔室连接，所述镀膜腔室通过管道与真空系统连接，所述真空计安装在镀膜腔室的侧表面。在镀膜材料经过升华和裂变后，镀膜材料会沉积在钙钛矿电池表面，从而形成水氧阻隔膜，这层水氧阻隔膜不仅可以防止外界水汽进入电池内部，而且还具有良好的透光率，从而达到了阻隔外界水汽，防止水汽进入钙钛矿电池内部的效果，解决了现有钙钛矿电池封装的防水能力较弱，外界水汽易进入电池内部，从而影响电池正常使用的问题。
一种提升钙钛矿太阳能电池稳定性方法

[发明专利]一种太阳能电池及其制作方法-CN202110829833.9在审
发明人： 萧生刚 -专利权人：深圳市科纳能薄膜科技有限公司
申请日： 2021-07-22 - 公布日： 2021-11-26 - 主分类号： H01L31/0224 文献下载
摘要：本发明公开一种太阳能电池及其制作方法，该太阳能电池包括：半导体基体；至少两组基极与发射极，所述至少两组的基极与发射极设置于所述半导体基体上，所述各组的基极与发射极之间相互隔离且并联连接；以及第一电极与第二电极，所述第一电极设置于基极上，所述第二电极设置于发射极上，所述各组的第一电极与第二电极之间并联连接。通过在半导体基体上设置两组或两组以上并联的基极与发射极，从而形成相互隔离的电池，使电极的长度以及电流的传输距离缩短，继而降低内阻，提高电池的转换效率；由于直接在同一半导体基体上设置多个相互并联的电池，无需对半导体基体进行切割，不仅简化了生产工艺，同时可避免因焊接各半片电池片而产生外部电阻。
一种太阳能电池及其制作方法

[发明专利]一种太阳能电池制作方法及太阳能电池-CN201810458958.3在审
发明人： 萧生刚;刘万满 -专利权人：深圳市科纳能薄膜科技有限公司
申请日： 2018-05-15 - 公布日： 2019-12-10 - 主分类号： H01L31/0224 文献下载
摘要：本发明适用于新能源领域，提供了一种太阳能电池制作方法及太阳能电池。太阳能电池制作方法包括如下步骤：采用掩膜技术在所述太阳能电池的基体的背面形成至少一个P型非晶硅图案与至少一个N型非晶硅图案；采用所述掩膜技术在所述基体的背面的一侧形成与所述P型非晶硅图案对应的发射极背接触电极，并采用所述掩膜技术在所述基体背面的另一侧形成与所述N型非晶硅图案对应的基极背接触电极。上述的P型非晶硅图案、N型非晶硅图案、发射极背接触电极和基极背接触电极都采用掩膜技术完成，该技术对工艺的精度要求相对较低，因此完成效率较高，并且也不需要高额的设备投入，很大程度上降低了生产成本。
背接触电极太阳能电池图案掩膜发射极新能源领域精度要求设备投入制作生产成本背面

[发明专利]背接触异质结太阳能电池及其制作方法-CN201710155595.1有效
发明人：张振刚;孙宏;宋江;赵崇亮;王海清;萧生刚 -专利权人：深圳市科纳能薄膜科技有限公司
申请日： 2017-03-15 - 公布日： 2019-05-17 - 主分类号： H01L31/0747 文献下载
摘要：本发明公开一种背接触异质结太阳能电池及其制作方法，其中，该背接触异质结太阳能电池包括单晶硅衬底，单晶硅衬底背面上依次设置有第一钝化层和载流子收集层，载流子收集层包括设置在第一钝化层上的第一层和设置在第一层上的第二层；第一层由n型非晶硅和p型非晶硅间隔设置形成；第二层为设置在第一层的n型非晶硅上的p型非晶硅，或者第二层为设置在第一层的p型非晶硅上的n型非晶硅。本发明的技术方案中，在已经形成的p型或n型非晶硅图案上，全表面覆盖一层n型或p型非晶硅，只需要做一次图案形成，省略了第二次的非晶硅图案形成，不存在两次图案之间的定位问题，极大简化了生产工艺，有利于背接触异质结电池的量产。
接触异质结太阳能电池及其制作方法

[发明专利]一种背接触异质结单晶硅太阳能电池及其制作方法-CN201610832552.8有效
发明人：张振刚;萧生刚;宋江;刘万满 -专利权人：深圳市科纳能薄膜科技有限公司
申请日： 2016-09-20 - 公布日： 2018-03-20 - 主分类号： H01L31/20 文献下载
摘要：本发明适用于太阳能光伏技术领域，提供了一种背接触异质结单晶硅太阳能电池及其制作方法，所述方法包括在非晶硅层表面，通过第一镀膜技术形成一层透明导电氧化物层；在透明导电氧化物层表面，通过第二镀膜技术形成一层金属层；通过激光划线技术，按照预设的金属电极图案，在金属层上进行激光划线，在所述金属层形成包括主电极和栅线电极的金属电极图案。通过在非晶硅层与金属层中间镀一层透明导电氧化物层，再结合不同的激光特性，进行激光划线，可以避免激光划线过程中对非晶硅和硅基底的损伤，同时可有效避免金属对硅的扩散，并且相对于现有技术，本发明工艺流程较为简单，且可以采用铝等廉价金属材料，降低了电池制作成本，可以达到量产的目的。
一种接触异质结单晶硅太阳能电池及其制作方法

[实用新型]一种背接触异质结单晶硅太阳能电池-CN201621063886.5有效
发明人：张振刚;萧生刚;宋江;刘万满 -专利权人：深圳市科纳能薄膜科技有限公司
申请日： 2016-09-20 - 公布日： 2017-03-22 - 主分类号： H01L31/20 文献下载
摘要：本实用新型适用于太阳能光伏技术领域，提供了一种背接触异质结太阳能电池，包括附着于所述非晶硅层的透明导电氧化物层；以及附着于所述透明导电氧化物层的金属层；所述金属层包括通过激光划线技术形成的、包括主电极和栅线电极的金属电极图案。本实用新型通过在非晶硅层与金属层中间镀一层透明导电氧化物层，再结合不同的激光特性，进行激光划线，可以避免激光划线过程中对非晶硅和硅基底的损伤，同时可有效避免金属对硅的扩散，结构简单，且可以采用铝等廉价金属材料，降低了电池制作成本，可以达到量产的目的。
一种接触异质结单晶硅太阳能电池

[实用新型]一种背接触异质结单晶硅太阳能电池-CN201520667111.8有效
发明人：张振刚;萧生刚;王海波;赵崇亮 -专利权人：深圳市科纳能薄膜科技有限公司
申请日： 2015-08-31 - 公布日： 2016-01-06 - 主分类号： H01L31/0216 文献下载
摘要：本实用新型提供一种背接触异质结单晶硅太阳能电池，属于太阳能光伏技术领域。该电池包括：单晶硅基体，正面钝化层，正面抗反射层，背面钝化层，背面基极，背面基极接触电极，背面发射极，背面发射极接触电极，背面保护膜。相对于传统晶硅电池，本实用新型有效避免了太阳能电池正面的电极遮光问题，在降低金属电极使用量的同时提高了短路电流；另一方面，异质结电池的优异钝化效果可以有效提高少子寿命和开路电压。异质结和背接触技术的结合有效提高了太阳能电池的转换效率。同时，相对于传统的异质结和背接触太阳能电池，本实用新型实现的方法更加简单，设备投资更低，适合于大批量生产的要求。
一种接触异质结单晶硅太阳能电池

[实用新型]用于制作背接触异质结单晶硅太阳能电池的磁性载片舟-CN201520684720.4有效
发明人：张振刚;萧生刚;王海波;赵崇亮 -专利权人：深圳市科纳能薄膜科技有限公司
申请日： 2015-09-06 - 公布日： 2016-01-06 - 主分类号： H01L21/673 文献下载
摘要：本实用新型提供一种用于制作背接触异质结单晶硅太阳能电池的磁性载片舟，属于太阳能光伏技术领域。该载片舟由永磁体和载片舟外壳组成，所述永磁体置于载片舟外壳内，载片舟上表面放置硅片，硅片上方置有掩膜；永磁体在载片舟表面产生磁场，用以吸附住载片舟上表面放置的硅片上方的具有磁性的掩膜，以达到固定硅片和掩膜之间相对位置的目的；并且永磁体在载片舟上表面产生的磁场开关可控，以方便拆装硅片和掩膜。本实用新型的载片舟，可以方便地调整掩膜相对硅片位置并且牢固固定硅片及掩膜，从而保证载片舟在运动过程中，硅片和掩膜没有相对位移，以实现精确控制电池背面发射极和基极的镀膜图案的目的，提高电池的转换效率。
用于制作接触异质结单晶硅太阳能电池磁性载片舟

[发明专利]一种制作背接触异质结单晶硅太阳能电池的方法-CN201510543696.7在审
发明人：张振刚;萧生刚;王海波;赵崇亮 -专利权人：深圳市科纳能薄膜科技有限公司
申请日： 2015-08-31 - 公布日： 2015-12-02 - 主分类号： H01L31/0216 文献下载
摘要：本发明提供一种制作背接触异质结单晶硅太阳能电池的方法，属于太阳能光伏技术领域。本发明含以下步骤：(1)单晶硅清洗、去损伤层、制绒；(2)单晶硅正面钝化层形成、抗反射层镀膜；(3)单晶硅背面钝化层镀膜；(4)采用掩模技术在单晶硅背面镀膜形成P型非晶硅图案；(5)采用掩模技术在单晶硅背面镀膜形成N型非晶硅图案；(5)采用掩模技术在背面镀膜形成保护膜图案；(6)采用化学镀+电镀技术在背面形成发射极和基极的接触电极。本发明的工艺路线无论对于P/N节的镀膜和定位，还是对于背电极的制作，都具有工艺流程简单、制作成本低的特点。适合于规模化量产背接触异质结单晶硅太阳能电池。
一种制作接触异质结单晶硅太阳能电池方法

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