[发明专利]多电感耦合等离子体反应器及其方法

摘要

公开了一种多电感耦合等离子体反应器及其方法。在多电感耦合等离子体反应方法中，用于增进待处理衬底中特定部分的蚀刻方法包括：蚀刻待处理衬底中特定部分；和在被蚀刻的特定部分的表面上沉积钝化层，其中重复进行蚀刻和沉积步骤，当存在由中心等离子体源和外围等离子体源形成的等离子体时执行这两个步骤之一。根据本发明的多电感耦合等离子体反应器及其方法，由于中心等离子体源和外围等离子体源被分开设置，因此在衬底的整个区域上可以均匀地处理等离子体。另外，可以使用在中心等离子体源和外围等离子体源之间接地的防干扰电极来在等离子体反应器中形成没有电干扰的独立的复等离子体区。另外，由中心等离子体源和外围等离子体源形成的等离子体用于深蚀刻待处理衬底中的特定部分。

主权项

在多电感耦合等离子体反应方法中，用于增进待处理的衬底中的特定部分的蚀刻方法，包括：蚀刻所述待处理的衬底中的特定部分；以及在被蚀刻的所述特定部分的表面上沉积钝化层，其中重复进行所述蚀刻和沉积步骤，并且当存在由中心等离子体源和外围等离子体源形成的等离子体时，执行所述两个步骤之一。