[发明专利]硅酸镓镧晶体元件的生产方法有效

专利信息
申请号: 201010147972.5 申请日: 2010-04-15
公开(公告)号: CN101834270A 公开(公告)日: 2010-09-15
发明(设计)人: 朱木典;郑燕青;朱柳典;张茁 申请(专利权)人: 东海县海峰电子有限公司
主分类号: H01L41/22 分类号: H01L41/22;B28D5/00;B24B37/00
代理公司: 南京众联专利代理有限公司 32206 代理人: 刘喜莲
地址: 222300 江*** 国省代码: 江苏;32
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摘要: 一种硅酸镓镧晶体元件的生产方法,其特征在于,取原料硅酸镓镧晶体割成条状晶体材料;然后进行晶体定向测角;按定向测角要求将条状晶体材料用多刀切割机进行切片,再经改圆处理后,得圆片状晶体材料;再依次对圆片状晶体材料进行粗磨、中磨和精磨处理,以达到各自的研磨厚度要求;研磨后对圆片状晶体材料进行双面被银处理,被银后用真空微调机对圆片状晶体材料进行频率调整,得到制造晶体元件所需的频率片;将频率片置于晶体元件基座上,点胶固定,封装,即得硅酸镓镧晶体元件。本发明工艺步骤设计合理、工艺可操作性强;制备的硅酸镓镧晶体元件的低电耦合系数大,温度稳定性好,带边比较陡峭,可以应用于滤波器、高温传感器等方面。
搜索关键词: 硅酸 晶体 元件 生产 方法
【主权项】:
一种硅酸镓镧晶体元件的生产方法,其特征在于,其步骤如下:(1)取原料硅酸镓镧晶体,用多刀切割机切割成条状晶体材料;然后用X光定向仪对条状晶体材料进行晶体定向测角,定向精度为±10′;(2)按定向测角要求将条状晶体材料用多刀切割机进行切片,再用改圆机进行改圆处理后,得圆片状晶体材料;(3)依次用研磨机对圆片状晶体材料进行粗磨、中磨和精磨三级研磨处理,研磨时对圆片状晶体材料进行自动频率监控,以达到各自的研磨厚度要求;粗磨时研磨机的转速为80-90转/分钟,使用的SiC磨料的粒度为1600±300目;中磨时研磨机的转速为50-60转/分钟,使用的SiC磨料的粒度为3000±300目;精磨时研磨机的转速为40-45转/分钟,使用的SiC磨料的粒度为6000±300目;(4)研磨后用真空镀膜机对圆片状晶体材料进行双面被银处理,被银的厚度按频率要求进行,被银后用真空微调机对圆片状晶体材料进行频率调整,得到制造晶体元件所需的频率片;(5)将频率片置于晶体元件基座上,点胶固定,封装,即得硅酸镓镧晶体元件。
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