“芳井义治”申请（专利权）人搜索_中国专利权人_发明人_技术持有人_科研专家_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果15个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]高频磁场产生装置-CN202210448222.4在审
发明人： 芳井义治;斋藤正树;水落宪和;林宽 -专利权人：胜美达集团株式会社
申请日： 2018-08-14 - 公布日： 2022-07-22 - 主分类号： G01R33/38 文献下载
摘要：本发明的高频磁场产生装置，能够在广泛的范围内生成大致均匀的三维高频磁场，且能够提高光检测磁共振等的检测灵敏度；两个线圈(L1、L2)以夹着电子自旋共振材料的方式相隔规定间隔相互平行地配置；高频电源(1)生成导通至该两个线圈(L1、L2)的微波电流；两个线路体(S1、S2)分别与该两个线圈(L1、L2)连接，并以使该两个线圈(L1、L2)位于驻波的波节之外的位置的方式设定电流分布。
高频磁场产生装置

[发明专利]高频磁场产生装置-CN202210448664.9在审
发明人： 芳井义治;斋藤正树;水落宪和;林宽 -专利权人：胜美达集团株式会社
申请日： 2018-08-14 - 公布日： 2022-07-22 - 主分类号： G01R33/38 文献下载
摘要：本发明的高频磁场产生装置，能够在广泛的范围内生成大致均匀的三维高频磁场，且能够提高光检测磁共振等的检测灵敏度；两个线圈(L1、L2)以夹着电子自旋共振材料的方式相隔规定间隔相互平行地配置；高频电源(1)生成导通至该两个线圈(L1、L2)的微波电流；两个线路体(S1、S2)分别与该两个线圈(L1、L2)连接，并以使该两个线圈(L1、L2)位于驻波的波节之外的位置的方式设定电流分布。
高频磁场产生装置

[发明专利]高频磁场产生装置-CN202210448981.0在审
发明人： 芳井义治;斋藤正树;水落宪和;林宽 -专利权人：胜美达集团株式会社
申请日： 2018-08-14 - 公布日： 2022-07-22 - 主分类号： G01R33/38 文献下载
摘要：本发明的高频磁场产生装置，能够在广泛的范围内生成大致均匀的三维高频磁场，且能够提高光检测磁共振等的检测灵敏度；两个线圈(L1、L2)以夹着电子自旋共振材料的方式相隔规定间隔相互平行地配置；高频电源(1)生成导通至该两个线圈(L1、L2)的微波电流；两个线路体(S1、S2)分别与该两个线圈(L1、L2)连接，并以使该两个线圈(L1、L2)位于驻波的波节之外的位置的方式设定电流分布。
高频磁场产生装置

[发明专利]测量装置和测量方法-CN202080083340.9在审
发明人： E·D·赫布施莱布;水落宪和;芳井义治 -专利权人：胜美达集团株式会社;国立大学法人京都大学
申请日： 2020-12-17 - 公布日： 2022-07-12 - 主分类号： G01R33/26 文献下载
摘要：磁共振构件(1)是配置在被测量交流物理场内且能够在规定的量子系统中进行量子操作的构件，线圈(2)和高频电源(3)对该磁共振构件(1)施加微波的磁场，照射装置(4)对该磁共振构件(1)照射光，检测装置(5)从该磁共振构件(1)检测与被测量交流物理场对应的物理现象；然后，测量控制部(21)执行规定多次的直流物理场测量序列，在各个直流物理场测量序列中，确定由检测装置(5)检测到的物理现象的检测值，运算部(22)根据与多次的直流物理场测量序列对应的检测值，运算被测量交流物理场的特定期间部分的测量结果。
测量装置测量方法

[发明专利]高频磁场产生装置-CN201810921098.2有效
发明人： 芳井义治;斋藤正树;水落宪和;林宽 -专利权人：胜美达集团株式会社
申请日： 2018-08-14 - 公布日： 2022-05-31 - 主分类号： G01R33/38 文献下载
摘要：本发明的高频磁场产生装置，能够在广泛的范围内生成大致均匀的三维高频磁场，且能够提高光检测磁共振等的检测灵敏度；两个线圈(L1、L2)以夹着电子自旋共振材料的方式相隔规定间隔相互平行地配置；高频电源(1)生成导通至该两个线圈(L1、L2)的微波电流；两个线路体(S1、S2)分别与该两个线圈(L1、L2)连接，并以使该两个线圈(L1、L2)位于驻波的波节之外的位置的方式设定电流分布。
高频磁场产生装置

[发明专利]测量装置-CN202010042049.9在审
发明人：竹村祐辉;芳井义治;斋藤正树 -专利权人：胜美达集团株式会社
申请日： 2020-01-15 - 公布日： 2020-09-01 - 主分类号： G01R33/24 文献下载
摘要：本发明的测量装置，能够在较短时间内进行利用了基于拉比振荡的电子自旋量子操控的磁场测量或电场测量，该基于拉比振荡的电子自旋量子操控通过微波照射进行；微波生成部(2)生成用于进行基于拉比振荡的电子自旋量子操控的微波，观测系统(11)使用被照射上述微波的电子自旋共振构件确定被测量场的强度；微波生成部(2)具备发射上述微波的线圈部(2a)和与该线圈部(2a)电气上并联配置的追加静电电容部(2b)；而且，追加静电电容部(2b)相对于线圈部(2a)直接配置，或者，配置在与线圈部(2a)电连接的电气元件和线圈部(2a)之间。
测量装置

[发明专利]激励光照射装置和激励光照射方法-CN201911141237.0在审
发明人：桥本将辉;芳井义治 -专利权人：胜美达集团株式会社
申请日： 2019-11-20 - 公布日： 2020-07-07 - 主分类号： G01R33/032 文献下载
摘要：本发明涉及激励光照射装置和激励光照射方法，能够准确地进行基于基材内的色心发出的光的测定。该激励光照射装置具有基材(1)，该基材(1)包含被激励光激发的色心(1a)。关于该基材1，(a)具有相互对置的2个反射面(11、12)和相互对置的2个端面(13、14)，(b)使入射到基材1的激励光一边被2个反射面(11、12)反射一边从该2个端面(13、14)中的一个端面侧(13)向另一个端面侧(14)行进。而且，另一个端面(14)使激励光反射，并倾斜成使激励光从该2个反射面(11、12)中的任意一个射出。
激励照射装置方法

[发明专利]磁场产生源检测装置和磁场产生源检测方法-CN201910591708.1在审
发明人： 芳井义治 -专利权人：胜美达集团株式会社
申请日： 2019-07-03 - 公布日： 2020-05-05 - 主分类号： G01R33/032 文献下载
摘要：本发明的磁场产生源检测装置以及磁场产生源检测方法，能够以较低的成本，推断检查对象物体内部的磁场产生源的深度方向的位置；磁传感器部(10)在检查对象物体的表面上或者表面上方检测被测量磁场的强度和方向；位置推断部(22)根据通过磁传感器部(10)在所述表面的二维方向上的至少两个位置处检测出的被测量磁场的强度和方向，推断检查对象物体内部的不确定位置处存在的磁场产生源的深度方向的位置。
磁场生源检测装置方法

[发明专利]电刺激装置-CN201910903142.1在审
发明人： 芳井义治 -专利权人：胜美达集团株式会社
申请日： 2019-09-24 - 公布日： 2020-04-17 - 主分类号： A61N1/36 文献下载
摘要：本发明提供一种电刺激装置，该电刺激装置缩短治癒时间、对身体负担小并且容易安装。电刺激装置(1)具备基础线材(10)，基础线材(10)由具有绝缘皮膜(211)的芯线(21)以及将芯线(21)作为卷轴且相对于芯线(21)无间隙地卷绕的外线(22)而构成，还具有将基础线材(10)呈环状卷绕而形成的筒部(20)，芯线(21)的一端与外线(22)的一端电连接，芯线(21)的另一端与外部电路(8)的一端相连接，外线(22)的另一端与外部电路(8)的另一端相连接，通过筒部(20)对置于其内部的生物体施加电刺激。
刺激装置

[发明专利]磁场测量装置及磁场测量方法-CN201910582273.4在审
发明人： 芳井义治;水落宪和 -专利权人：胜美达集团株式会社;国立大学法人京都大学
申请日： 2019-07-01 - 公布日： 2020-01-10 - 主分类号： G01R33/032 文献下载
摘要：本发明提供一种利用ODMR准确地测量低频的交流磁场的磁场测量装置及磁场测量方法；线圈(2)对被配置于被测量交流磁场内的光探测磁共振部件(1)外加微波的磁场；高频电源(3)使微波的电流导通于线圈(2)；照射装置(4)对光探测磁共振部件(1)照射光；受光装置(5)探测从光探测磁共振部件(1)发出的光；而且，测量控制部(21)执行相对于被测量交流磁场的规定相位的规定的直流磁场测量序列，在该直流磁场测量序列中，对高频电源(3)以及照射装置(4)进行控制，确定由受光装置(5)探测出的光的探测光量；磁场运算部(22)根据该规定相位以及探测光量，对被测量交流磁场的强度进行运算。
测量交流磁场磁共振部件探测高频电源受光装置照射装置直流磁场光探测探测光磁场微波磁场测量装置测量控制部磁场测量电流导通运算部照射光运算配置

[发明专利]位置检测系统-CN201580017602.0有效
发明人：泷泽晃一;芳井义治;常盘淑幸 -专利权人：株式会社村田制作所
申请日： 2015-03-19 - 公布日： 2019-11-05 - 主分类号： G01S13/74 文献下载
摘要：本发明的测定装置(2)从第一天线对(3)输出彼此相位差(Δφ₁)随时间变化的发送信号(St₁₁)、(St₁₂)。对象物(21)从对象侧天线(22)同时接收发送信号(St₁₁)、(St₁₂)，根据接收信号(Sr₁)将对象物(21)和测定装置(2)的位置关系所对应的信息(Dφ)返送至测定装置(2)侧。测定装置(2)从第二天线对(4)输出彼此相位差(Δφ₂)随时间变化的发送信号(St₂₁)、(St₂₂)。对象物(21)从对象侧天线(22)同时接收发送信号(St₂₁)、(St₂₂)，根据接收信号(Sr₂)将对象物(21)和测定装置(2)的位置关系所对应的信息(Dφ)返送至测定装置(2)侧。测定装置(2)基于这两个信息(Dφ)，确定对象物(21)的方位角(θ)。
位置检测系统

[发明专利]微小电流检测装置-CN201910262219.1在审
发明人： 芳井义治 -专利权人：胜美达集团株式会社
申请日： 2019-04-02 - 公布日： 2019-10-18 - 主分类号： G01R15/20 文献下载
摘要：本发明解决了以下课题：现有的磁传感器由于存在灵敏度的极限，对于微小电流、例如nA级别的泄漏电流，存在着无法检测的问题。另外，在现有的检测方法中，通过所施加的交流电流在电极之间产生广泛分布的磁场，结果，泄漏电流所引起的磁场变动不能清楚的看到。本发明提供一种微小电流检测装置，其具备：含有NVC的磁传感器以及向量势装置，即能够检测微小的泄漏电流又能够提高作为磁传感器的灵敏度。
磁传感器泄漏电流微小电流检测灵敏度检测磁场变动交流电流微小电流向量势电极磁场施加

[发明专利]安装基板和发光装置-CN201380033997.4在审
发明人：福光政和;芳井义治 -专利权人：株式会社村田制作所
申请日： 2013-06-24 - 公布日： 2015-03-18 - 主分类号： H01L33/62 文献下载
摘要：本发明提供安装基板以及发光装置。在基材(20)的背面沿着第1方向形成有外部连接用导体(41、42)，在表面沿着第2方向形成有布线导体(71、72)。在布线导体(71、72)的与基材(20)侧相反的一侧的面形成有绝缘层(60)。在绝缘层(60)的与布线导体(71、72)相反的一侧的面形成有部件安装用导体(31、32)。部件安装用导体(31)与布线导体(71)导通，部件安装用导体(32)与布线导体(72)导通。布线导体(71)与外部连接用导体(41)通过形成在基材(20)的部件安装用导体(31、32)的形成区域间的孔(511)的内壁面的导体膜(521)导通。布线导体(72)与外部连接用导体(42)通过形成在基材(20)的部件安装用导体(31、32)的形成区域间的孔(512)的内壁面的导体膜(522)导通。
安装发光装置

[发明专利]复合压电基板的制造方法-CN201210012692.2有效
发明人：神藤始;芳井义治 -专利权人：株式会社村田制作所
申请日： 2008-10-23 - 公布日： 2012-07-11 - 主分类号： H01L41/22 文献下载
摘要：本发明提供一种能够有效利用压电体材料来形成均匀厚度的极薄压电膜的复合压电基板的制造方法。包括：a)准备压电体基板和支撑基板；b)从压电体基板的表面注入离子，在压电体基板内在距离表面规定深度的区域中形成缺陷层；c)对形成了缺陷层的压电体基板的表面和支撑基板的表面中的至少一个，去除附着在表面(2a、10a)中的杂质，使构成表面(2a、10a)的原子直接露出并活性化；d)在压电体基板的表面上接合支撑基板，形成基板接合体；e)采用形成于压电体基板内的缺陷层来分离基板接合体，从压电体基板剥离压电体基板的表面和缺陷层之间的剥离层，形成与支撑基板相接合的复合压电基板(30)；f)对复合压电基板的剥离层的表面进行平滑化。
复合压电制造方法

[发明专利]复合压电基板的制造方法-CN200880021773.0无效
发明人：神藤始;芳井义治 -专利权人：株式会社村田制作所
申请日： 2008-10-23 - 公布日： 2010-03-31 - 主分类号： H03H3/08 文献下载
摘要：本发明提供一种能够有效利用压电体材料来形成均匀厚度的极薄压电膜的复合压电基板的制造方法。包括：a)准备压电体基板(2)和支撑基板(10)；b)从压电体基板(2)的表面(2a)注入离子，在压电体基板(2)内在距离表面(2a)规定深度的区域中形成缺陷层(4)；c)对形成了缺陷层(4)的压电体基板(2)的表面(2a)和支撑基板(10)的表面(10a)中的至少一个，去除附着在表面(2a、10a)中的杂质，使构成表面(2a、10a)的原子直接露出并活性化；d)在压电体基板(2)的表面(2a)上接合支撑基板(10)，形成基板接合体(40)；e)采用形成于压电体基板(2)内的缺陷层(4)来分离基板接合体(40)，从压电体基板(2)剥离压电体基板(2)的表面(2a)和缺陷层(4)之间的剥离层(3)，形成与支撑基板(10)相接合的复合压电基板(30)；f)对复合压电基板(30)的剥离层(3)的表面(3a)进行平滑化。
复合压电制造方法

1
共 15 条