[发明专利]半导体装置及其制造方法有效
| 申请号： | 201010146957.9 | 申请日： | 2010-03-12 |
| 公开（公告）号： | CN101894759A | 公开（公告）日： | 2010-11-24 |
| 发明（设计）人： | 大原宏树;佐佐木俊成 | 申请（专利权）人： | 株式会社半导体能源研究所 |
| 主分类号： | H01L21/34 | 分类号： | H01L21/34;H01L21/471;H01L29/786 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 何欣亭;徐予红 |
| 地址： | 日本神奈*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 若不由无机绝缘膜覆盖氧化物半导体层情况下进行加热处理而使氧化物半导体层晶化，则因晶化而形成表面凹凸，可能会产生电特性的不均匀。通过如下顺序进行工序：在从刚形成氧化物半导体层之后直到与氧化物半导体层上接触地形成包含氧化硅的无机绝缘膜之前的期间一次也不进行加热处理，在接触于衬底上的氧化物半导体层上地形成第二绝缘膜之后进行加热处理。此外，在包含氧化硅的无机绝缘膜中含有的氢密度为5×1020/cm3以上，或其氮密度为1×1019/cm3以上。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体装置的制造方法，包括如下步骤：在具有绝缘表面的衬底上形成具有非晶结构的氧化物半导体层；在所述氧化物半导体层上形成包含氧化硅的无机绝缘膜；以及在形成所述包含氧化硅的无机绝缘膜之后进行300℃或以上的加热处理，其中，经过所述加热处理的所述氧化物半导体层具有非晶结构。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
