[发明专利]一种在钇掺杂氧化锆衬底上制备立方结构氧化铟单晶薄膜的方法无效
| 申请号： | 201010141341.2 | 申请日： | 2010-04-08 |
| 公开（公告）号： | CN101792901A | 公开（公告）日： | 2010-08-04 |
| 发明（设计）人： | 马瑾;孔令沂;栾彩娜 | 申请（专利权）人： | 山东大学 |
| 主分类号： | C23C16/40 | 分类号： | C23C16/40;C23C16/455 |
| 代理公司： | 济南金迪知识产权代理有限公司 37219 | 代理人： | 许德山 |
| 地址： | 250100 山*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种立方结构氧化铟单晶外延薄膜的制备方法，采用有机金属化学气相淀积工艺，以三甲基铟作为有机金属源，用氮气作为载气，用氧气作为氧化气体，用有机金属化学气相淀积设备在真空条件下在钇掺杂氧化锆衬底上外延生长氧化铟单晶薄膜。该薄膜是具有单晶结构的外延材料，且薄膜内无孪晶和畴结构，薄膜的载流子迁移率高于61.2cm2V-1s-1。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 掺杂 氧化锆 衬底 制备 立方 结构 氧化 铟单晶 薄膜 方法 | ||
【主权项】：
一种立方结构氧化铟单晶薄膜的制备方法，采用有机金属化学气相淀积(MOCVD)工艺，以三甲基铟[In(CH3)3]为有机金属源，用氮气作为载气，用氧气作为氧化气体，用有机金属化学气相淀积设备在衬底上外延生长氧化铟单晶薄膜；其特征在于，所述衬底为钇掺杂氧化锆(YSZ)(100)晶面，所述钇掺杂氧化锆晶体的钇掺杂量为11-15mol％，工艺条件如下：反应室压强20～60Torr，生长温度600～750℃，背景N2流量200～500sccm，有机金属源温度10～25℃，有机金属源瓶压力100～500Torr，有机金属源载气N2流量15～40sccm，氧气流量30～80sccm；氧化铟单薄膜的外延生长速率为0.5～1.2nm/min。
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C23 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
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