[发明专利]Ⅲ族氮化物半导体的制造方法有效
| 申请号： | 201010135194.8 | 申请日： | 2010-03-15 |
| 公开（公告）号： | CN101847577A | 公开（公告）日： | 2010-09-29 |
| 发明（设计）人： | 奥野浩司 | 申请（专利权）人： | 丰田合成株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/205 | 分类号： | H01L21/205 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 顾晋伟;王春伟 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 一种制造III族氮化物半导体的方法，所述方法包括：制备包括缓冲层的衬底；在所述缓冲层上通过MOCVD由III族氮化物半导体在掺杂反表面活性剂的同时形成第一层，其中所述第一层的厚度等于或小于2μm；在所述第一层上通过MOCVD由III族氮化物半导体在掺杂表面活性剂和反表面活性剂中至少其一的同时形成第二层；和通过在形成所述第二层期间调节所掺杂的表面活性剂和反表面活性剂的量来控制所述第二层的结晶品质和表面平坦性。 | ||
| 搜索关键词： | 氮化物 半导体 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种制造III族氮化物半导体的方法，所述方法包括：制备包括缓冲层的衬底；在所述缓冲层上通过MOCVD由掺杂有反表面活性剂的III族氮化物半导体形成第一层，其中所述第一层的厚度等于或小于2μm；在所述第一层上通过MOCVD由掺杂有表面活性剂和反表面活性剂中至少其一的III族氮化物半导体形成第二层；和通过调节在形成所述第二层期间所掺杂的所述表面活性剂和所述反表面活性剂的量来控制所述第二层的结晶品质和表面平坦性。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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