[发明专利]半导体装置有效
申请号: | 201010134385.2 | 申请日: | 2010-03-04 |
公开(公告)号: | CN101826521A | 公开(公告)日: | 2010-09-08 |
发明(设计)人: | 木村肇 | 申请(专利权)人: | 株式会社半导体能源研究所 |
主分类号: | H01L27/02 | 分类号: | H01L27/02;H01L29/786;H01L29/43;H01L23/532;H01L21/82;H01L21/34;H01L21/44;H01L21/768 |
代理公司: | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人: | 李玲;胡烨 |
地址: | 日本神*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 一种半导体装置,包括:设置在基板上的半导体层、覆盖半导体层的栅极绝缘膜、设置在所述栅极绝缘膜且层叠第一导电层和第二导电层而形成的包括栅电极的栅极布线、覆盖所述半导体层和包括栅电极的栅极布线的绝缘膜、以及设置在所述绝缘膜,电连接到所述半导体层且层叠第三导电层和第四导电层的包括源电极的源极布线。栅电极由第一导电层形成,栅极布线由第一导电层和第二导电层形成,源电极由第三导电层形成,并且源极布线由第三导电层和第四导电层形成。 | ||
搜索关键词: | 半导体 装置 | ||
【主权项】:
一种半导体装置,包括:设置在基板上的半导体层;与所述半导体层电连接并包括第一电极的第一布线;覆盖所述半导体层和所述第一电极的绝缘膜;以及隔着所述绝缘膜地设置在所述半导体层上并具有第二电极的第二布线,其中,所述第一电极包括第一导电层,所述第一布线包括所述第一导电层和第二导电层,所述第二电极包括第三导电层,所述第二布线包括所述第三导电层和第四导电层,并且,所述第一导电层和所述第三导电层分别具有透光性。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的