[发明专利]半导体装置有效

专利信息
申请号: 201010134385.2 申请日: 2010-03-04
公开(公告)号: CN101826521A 公开(公告)日: 2010-09-08
发明(设计)人: 木村肇 申请(专利权)人: 株式会社半导体能源研究所
主分类号: H01L27/02 分类号: H01L27/02;H01L29/786;H01L29/43;H01L23/532;H01L21/82;H01L21/34;H01L21/44;H01L21/768
代理公司: 上海专利商标事务所有限公司 31100 代理人: 李玲;胡烨
地址: 日本神*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 一种半导体装置,包括:设置在基板上的半导体层、覆盖半导体层的栅极绝缘膜、设置在所述栅极绝缘膜且层叠第一导电层和第二导电层而形成的包括栅电极的栅极布线、覆盖所述半导体层和包括栅电极的栅极布线的绝缘膜、以及设置在所述绝缘膜,电连接到所述半导体层且层叠第三导电层和第四导电层的包括源电极的源极布线。栅电极由第一导电层形成,栅极布线由第一导电层和第二导电层形成,源电极由第三导电层形成,并且源极布线由第三导电层和第四导电层形成。
搜索关键词: 半导体 装置
【主权项】:
一种半导体装置,包括:设置在基板上的半导体层;与所述半导体层电连接并包括第一电极的第一布线;覆盖所述半导体层和所述第一电极的绝缘膜;以及隔着所述绝缘膜地设置在所述半导体层上并具有第二电极的第二布线,其中,所述第一电极包括第一导电层,所述第一布线包括所述第一导电层和第二导电层,所述第二电极包括第三导电层,所述第二布线包括所述第三导电层和第四导电层,并且,所述第一导电层和所述第三导电层分别具有透光性。
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