[发明专利]氮化镓系化合物半导体的制造方法有效
| 申请号： | 200910174420.0 | 申请日： | 2009-10-30 |
| 公开（公告）号： | CN102054907A | 公开（公告）日： | 2011-05-11 |
| 发明（设计）人： | 陈敏璋;林瑞明;余晟辅;徐文庆;何思桦 | 申请（专利权）人： | 昆山中辰矽晶有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L33/02;H01L33/12;H01L33/20;H01L33/06 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 215316 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明系提供一种氮化镓系化合物半导体的制造方法，特别是在氧化锌系半导体层之上，经由沾湿层及氮化此沾湿层的步骤以形成过渡层的方法，此方法不仅具有保护氧化锌系半导体层表面的功能，而过渡层亦做为后续氮化镓系半导体层磊晶成长的缓冲层，故可以有效地提升氮化镓系半导体层的结晶品质。 | ||
| 搜索关键词： | 氮化 化合物 半导体 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种氮化镓系化合物半导体的制造方法，其步骤包含：提供一氧化锌系半导体层；形成一沾湿层于该氧化锌系半导体层之上；氮化该沾湿层；重复多次形成该沾湿层及氮化该沾湿层的步骤以形成一过渡层；形成一氮化镓系半导体层于该过渡层之上。
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