[发明专利]形成半导体薄膜的方法及半导体薄膜检查装置无效
| 申请号： | 200910143362.5 | 申请日： | 2009-05-22 |
| 公开（公告）号： | CN101587840A | 公开（公告）日： | 2009-11-25 |
| 发明（设计）人： | 梅津畅彦;月原浩一;尼子博久;松延刚;白井克弥 | 申请（专利权）人： | 索尼株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L21/268;H01L21/324;H01L21/66 |
| 代理公司： | 北京信慧永光知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 褚海英;武玉琴 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供了一种半导体薄膜的制造方法，其包括以下步骤：在基板上形成非晶半导体薄膜；通过对非晶半导体薄膜照射激光以对非晶半导体薄膜有选择地进行加热处理，从而使被激光照射的区域中的非晶半导体薄膜结晶，由此在每个元件区域中局部地形成结晶半导体薄膜；以及检查结晶半导体薄膜的结晶度。检查的步骤包括如下步骤：通过对结晶半导体薄膜和非晶半导体薄膜照射光以确定结晶区域的亮度与未结晶区域的亮度之间的对比度，并根据所确定的对比度对结晶半导体薄膜进行筛选。由于对结晶半导体薄膜的筛选是根据结晶区域的亮度和未结晶区域的亮度之间的对比度，从而可以实现比以往更可靠的筛选。 | ||
| 搜索关键词： | 形成 半导体 薄膜 方法 检查 装置 | ||
【主权项】：
1.一种形成半导体薄膜的方法，其包括以下步骤：在基板上形成非晶半导体薄膜；通过对所述非晶半导体薄膜照射激光以对所述非晶半导体薄膜有选择地进行加热处理，从而使被所述激光照射的区域中的所述非晶半导体薄膜结晶，由此在每个元件区域中局部地形成结晶半导体薄膜；以及检查所述结晶半导体薄膜的结晶度，其中，所述检查的步骤包括如下步骤：通过对所述结晶半导体薄膜和所述非晶半导体薄膜分别照射光来确定结晶区域的亮度与未结晶区域的亮度之间的对比度，以及根据所确定的对比度对所述结晶半导体薄膜进行筛选。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
