[发明专利]光刻机硅片对准信号的处理方法有效
| 申请号： | 200910055927.4 | 申请日： | 2009-08-05 |
| 公开（公告）号： | CN101614963A | 公开（公告）日： | 2009-12-30 |
| 发明（设计）人： | 陈延太;宋海军;李运锋 | 申请（专利权）人： | 上海微电子装备有限公司 |
| 主分类号： | G03F7/20 | 分类号： | G03F7/20 |
| 代理公司： | 上海智信专利代理有限公司 | 代理人： | 王 洁 |
| 地址： | 201203*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种光刻机硅片对准信号的处理方法，包括如下步骤：设定处理该光刻机硅片对准信号所采用的非线性模型；对该光刻机硅片进行对准扫描，获取位置采样数据和光强采样数据；对该位置采样数据和光强采样数据进行实时累加处理，获取累加系数；根据包含暗电流、正弦系数和余弦系数的线性模型确定该非线性模型的非线性参数初值；根据该累加系数和非线性参数获取该非线性模型的线性参数；根据该累加系数和该非线性模型的线性参数获取该非线性参数的迭代增量；根据该迭代增量更新该非线性模型的非线性参数；判断该迭代增量是否满足精度要求，从而确定该非线性模型的最终线性参数和最终非线性参数。 | ||
| 搜索关键词： | 光刻 硅片 对准 信号 处理 方法 | ||
【主权项】：
1.一种光刻机硅片对准信号的处理方法，包括如下步骤：设定处理该光刻机硅片对准信号所采用的非线性模型；对该光刻机硅片进行对准扫描，获取位置采样数据和光强采样数据；对该位置采样数据和光强采样数据进行实时累加处理，获取累加系数；根据包含暗电流、正弦系数和余弦系数的线性模型确定该非线性模型的非线性参数初值；根据该累加系数和非线性参数获取该非线性模型的线性参数；根据该累加系数和该非线性模型的线性参数获取该非线性参数的迭代增量；根据该迭代增量更新该非线性模型的非线性参数；判断该迭代增量是否满足精度要求，从而确定该非线性模型的最终线性参数和最终非线性参数。
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