[发明专利]一种高介电常数栅介质SrHfON薄膜及其制备方法无效
| 申请号： | 200910023240.2 | 申请日： | 2009-07-08 |
| 公开（公告）号： | CN101635307A | 公开（公告）日： | 2010-01-27 |
| 发明（设计）人： | 冯丽萍;刘正堂 | 申请（专利权）人： | 西北工业大学 |
| 主分类号： | H01L29/51 | 分类号： | H01L29/51;H01L29/78;H01L21/28;H01L21/283;H01L21/314;H01L21/3105;H01L21/336 |
| 代理公司： | 西北工业大学专利中心 | 代理人： | 慕安荣 |
| 地址： | 710072陕*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种高介电常数栅介质SrHfON薄膜及其制备方法。高介电常数栅介质SrHfON薄膜包括质量百分比分别为11～22％、39～46％、28～34％和4～14％的Sr元素、Hf元素、O元素和N元素，总含量不超过100％。用稀Hf溶液、去离子水、丙酮和酒精反复清洗Si衬底，在靶材经过预溅射后，采用射频磁控共溅射方法在Si衬底上沉积SrHfON薄膜，并退火处理，获得SrHfON栅介质薄膜。本发明制备的SrHfON栅介质薄膜具有较高的介电常数，明显改善了SrHfO3薄膜的晶化温度，具有晶化温度高、界面产物少、漏电流密度低优点，使SrHfON成为一种具有较好前景的高k栅介质候选材料。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 介电常数 介质 srhfon 薄膜 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种高介电常数栅介质SrHfON薄膜，其特征在于所提出的高介电常数栅介质SrHfON薄膜包括质量百分比为11～22％的Sr元素，质量百分比为39～46％的Hf元素，质量百分比为28～34％的O元素和质量百分比为4～14％的N元素；总含量不超过100％。
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