[发明专利]半导体的微焊盘形成

摘要

一种方法，形成到第一半导体器件(12，52，74)的外部接触件(14，54，78)的微焊盘(30，70，42)。在外部接触件上形成铜柱(＝20，24，66，88，82)。柱在第一半导体器件的表面上延伸。将铜柱浸入锡的溶液中。锡(28)置换柱的铜的至少95％，并优选大于99％。结果产生具有小于5％的重量的铜的锡微焊盘。由于微焊盘基本为纯锡，因此在不接合第一半导体器件的微焊盘的时间期间不会形成金属间接合。由于不形成金属间接合，因此导致较小的微焊盘尺寸。当将第一半导体器件接合到上覆的第二半导体器件时，接合尺寸不显著增加堆叠芯片的高度。

主权项

一种方法，包括以下步骤：提供具有外部接触件的第一半导体器件；在所述外部接触件上形成铜柱，其中所述铜柱在第一半导体器件的表面上延伸；以及将所述铜柱浸在锡溶液中，在该溶液中锡置换所述铜柱的至少95％的铜，导致产生具有小于5％的重量百分比的铜的锡微焊盘。