[发明专利]修饰的聚合物组合物、修饰方法以及自由基生成剂无效
申请号: | 200880024378.8 | 申请日: | 2008-07-10 |
公开(公告)号: | CN101802073A | 公开(公告)日: | 2010-08-11 |
发明(设计)人: | 安尼卡·斯梅德伯格;比尔·古斯塔夫松;丹尼尔·尼尔松 | 申请(专利权)人: | 北方技术股份有限公司 |
主分类号: | C08K5/14 | 分类号: | C08K5/14 |
代理公司: | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人: | 张颖;樊卫民 |
地址: | 芬兰*** | 国省代码: | 芬兰;FI |
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摘要: | 本发明涉及用于修饰聚合物组合物的方法,涉及修饰的聚合物组合物,涉及含有所述修饰的聚合物组合物的物件、优选为电线或电缆,涉及制备物件、优选电线或电缆的方法,涉及所述修饰的聚合物在电线或电缆的一层或多层中的应用,以及涉及用作自由基生成剂以修饰聚合物组合物的化合物。 | ||
搜索关键词: | 修饰 聚合物 组合 方法 以及 自由基 生成 | ||
【主权项】:
1.一种化合物,其是下式(I)的有机过氧化物:其中-R1和R1’各自独立地是H,取代或未取代的饱和或部分不饱和的烃基,或取代或未取代的芳烃基;-其中每个所述取代或未取代的饱和或部分不饱和的烃基或芳烃基,任选地含有一个或多个杂原子;并且-其中所述取代的饱和或部分不饱和烃基或取代的芳烃基,独立地含有1到4个取代基,所述取代基选自官能团,任选地带有官能团的饱和或部分不饱和的烃基,或任选地带有官能团的芳烃基;-R2、R2’、R3和R3’各自独立地是H,取代或未取代的饱和或部分不饱和的烃基,或取代或未取代的芳烃基;-其中每个所述取代或未取代的饱和或部分不饱和的烃基或芳烃基,任选地含有一个或多个杂原子;并且-其中所述取代的饱和或部分不饱和烃基或取代的芳烃基,独立地含有1到4个取代基,所述取代基选自官能团,任选地带有官能团的饱和或部分不饱和的烃基,或任选地带有官能团的芳烃基;或-R2和R3与它们所连接的碳原子(C1)一起,形成了3到14个碳原子的未取代或取代的、饱和或部分不饱和的碳环基团;3到14个环原子、其中包含1到6个选自O、N、P、S或Si的杂原子的未取代或取代的、饱和或部分不饱和的杂环基团;或3到14个碳原子、任选地含有1到4个杂原子的未取代或取代的芳环基团;-其中所述碳环、杂环或芳环系统,任选地与另一个具有4到14个环原子的环系统稠合;并且-其中所述被取代的碳环、杂环或芳环系统含有1到4个取代基,所述取代基独立地选自官能团,任选地带有官能团的饱和或部分不饱和的烃基,或任选地带有官能团的芳烃基;或-R2’和R3’与它们所连接的碳原子(C1’)一起,形成了3到14个碳原子的未取代或取代的、饱和或部分不饱和的碳环基团;3到14个环原子、其中包含1到6个选自O、N、P、S或Si的杂原子的未取代或取代的、饱和或部分不饱和的杂环基团;或3到14个碳原子、任选地含有1到4个杂原子的未取代或取代的芳环基团;-其中所述碳环、杂环或芳环系统,任选地与另一个具有4到14个环原子的环系统稠合;并且-其中所述被取代的碳环、杂环或芳环系统含有1到4个取代基,所述取代基独立地选自官能团,任选地带有官能团的饱和或部分不饱和的烃基,或任选地带有官能团的芳烃基;或-R2和R2’一起形成了双价的取代或未取代的、饱和或部分不饱和的烃基,任选地含有1到4个杂原子,其中R2与C1、R2’与C1’分别相连,与-C1-O-O-C1’-一起形成了3到14个碳原子的取代或未取代的、饱和或部分不饱和的碳环基团,所述碳环基团除了所述至少两个O原子之外,任选地含有1到4个其它的杂原子;其中所述碳环或杂环系统,任选地与具有4-14个环原子的另一个环系统稠合;或其功能衍生物;-前提是R1、R2和R3中的至少两个,以及R1’、R2’和R3’中的至少两个,分别地不是H或甲基。
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