[发明专利]不饱和的聚合物组合物有效
申请号: | 200880024441.8 | 申请日: | 2008-07-10 |
公开(公告)号: | CN101755001A | 公开(公告)日: | 2010-06-23 |
发明(设计)人: | 安尼卡·斯梅德伯格;比尔·古斯塔夫松;丹尼尔·尼尔松 | 申请(专利权)人: | 北方技术股份有限公司 |
主分类号: | C08K5/14 | 分类号: | C08K5/14 |
代理公司: | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人: | 刘慧;杨青 |
地址: | 芬兰*** | 国省代码: | 芬兰;FI |
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摘要: | 本发明涉及修饰聚合物组合物的方法,涉及经过修饰的聚合物组合物,涉及包括所述经过修饰的聚合物组合物的制品,所述制品优选是电线或电缆,涉及制造制品(优选是电线或电缆)的方法,涉及所述经过修饰的聚合物用在电线或电缆的一层或多层中的用途,以及涉及化合物作为用于修饰聚合物组合物的自由基生成剂的应用。 | ||
搜索关键词: | 不饱和 聚合物 组合 | ||
【主权项】:
1.聚合物组合物,包括:A)不饱和的聚合物,和B)生成自由基的化合物-其中自由基生成剂是式(I)的化合物其中-R1和R1’各自独立地为H,被取代的或未被取代的饱和的或部分不饱和的烃基;或被取代的或未被取代的芳族烃基;-其中每个所述的被取代的或未被取代的饱和的或部分不饱和的烃基或芳族烃基任选地包含一个或多个杂原子;和-其中所述的被取代的饱和的或部分不饱和的烃基或被取代的芳族烃基独立地包含1-4个取代基,所述取代基选自官能团、或任选地携带官能团的饱和的或部分不饱和的烃基;或任选地携带官能团的芳族烃基;-R2、R2’、R3和R3’各自独立地为H、被取代的或未被取代的饱和的或部分不饱和的烃基;或被取代的或未被取代的芳族烃基;-其中每个所述的被取代的或未被取代的饱和的或部分不饱和的烃基或芳族烃基任选地包含一个或多个杂原子;和-其中所述的被取代的饱和的或部分不饱和的烃基或被取代的芳族烃基独立地包含1-4个取代基,所述取代基选自官能团、任选地携带官能团的饱和的或部分不饱和的烃基;或任选地携带官能团的芳族烃基;或-R2和R3与它们所连接的碳原子(C1)一起形成含3-14个碳原子的未被取代的或被取代的饱和的或部分不饱和的碳环部分;含3-14环原子并包含1-6个选自O、N、P、S或Si的杂原子的未被取代的或被取代的饱和的或部分不饱和的杂环部分;或含3-14个碳原子并任选地包含1-4个杂原子的未被取代的或被取代的芳环部分;-其中所述的碳环、杂环或芳环系统任选地与另一个含4-14个环原子的环系统稠合;和-其中所述的被取代的碳环、杂环或芳环系统包含1-4个取代基,所述取代基独立地选自官能团、任选地携带官能团的饱和的或部分不饱和的烃基;或任选地携带官能团的芳族烃基;或-R2’和R3’与它们所连接的碳原子(C1’)一起形成含3-14个碳原子的未被取代的或被取代的饱和的或部分不饱和的碳环部分;含3-14个环原子并包含1-6个选自O、N、P、S或Si的杂原子的未被取代的或被取代的饱和的或部分不饱和的杂环部分;或含3-14个碳原子并任选地包含1-4个杂原子的未被取代的或被取代的芳环部分;-其中所述的碳环、杂环或芳环系统任选地与另一个含4-14个环原子的环系统稠合;和-其中所述的被取代的碳环、杂环或芳环系统包含1-4个取代基,所述取代基独立地选自官能团、任选地携带官能团的饱和的或部分不饱和的烃基;或任选地携带官能团的芳族烃基;或-R2和R2’一起形成任选地包含1-4个杂原子的、二价的、被取代的或未被取代的饱和的或部分不饱和的烃基,其中分别地R2接于C1以及R2’连接于C1’,与-C1-O-O-C1’-一起形成含3-14个碳原子并且任选地除了所述至少两个O原子之外包含1-4个另外的杂原子的被取代的或未被取代的饱和的或部分不饱和的碳环部分;其中所述的碳环或杂环系统任选地与另一个含4-14个环原子的环系统稠合;或其功能衍生物;-条件是,R1、R2和R3中的至少两个,以及R1’、R2’和R3’中的至少两个,分别地,不是H或甲基。
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