[发明专利]去除光刻胶层的方法有效
| 申请号： | 200810118408.3 | 申请日： | 2008-08-14 |
| 公开（公告）号： | CN101651099A | 公开（公告）日： | 2010-02-17 |
| 发明（设计）人： | 韩秋华;韩宝东 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（北京）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/311 | 分类号： | H01L21/311;G03F7/42 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人： | 李 丽 |
| 地址： | 100176北京市*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种去除光刻胶层的方法，提供一半导体结构，所述半导体结构上具有光刻胶层；对光刻胶层进行第一步灰化，灰化掉部分厚度的光刻胶层；对剩余的光刻胶层进行第二步灰化，将剩余的光刻胶层去除；其中第一步灰化的灰化速率大于第二步灰化的灰化速率。该方法在去除光刻胶层时可以更干净的去除灰化残余物。 | ||
| 搜索关键词： | 去除 光刻 方法 | ||
【主权项】：
1、一种去除光刻胶层的方法，其特征在于，提供一半导体结构，所述半导体结构上具有光刻胶层；对光刻胶层进行第一步灰化，灰化掉部分厚度的光刻胶层；对剩余的光刻胶层进行第二步灰化，将剩余的光刻胶层去除；其中第一步灰化的灰化速率大于第二步灰化的灰化速率。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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