[发明专利]氮化镓半导体元件和发光二极管有效
| 申请号： | 200810092628.3 | 申请日： | 2008-04-16 |
| 公开（公告）号： | CN101562156A | 公开（公告）日： | 2009-10-21 |
| 发明（设计）人： | 林义杰;郭政达;许育宾;蔡吉明 | 申请（专利权）人： | 晶元光电股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/00 | 分类号： | H01L23/00;H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 陶凤波 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明披露了一种氮化镓半导体元件和发光二极管。在一基板上形成有一富含金属的氮化物薄膜，随后在富含金属的氮化物薄膜上形成有一缓冲层以及一半导体叠层；其中，富含金属的氮化物薄膜仅覆盖基板的部分上表面。通过富含金属的氮化物薄膜为非晶结构的特性，使得缓冲层外延成长方向由向上成长转变为水平成长，使缓冲层中的晶格位错亦随着外延成长方向弯曲，由此降低位错延伸至半导体叠层的几率，以提高氮化镓半导体元件的可靠度。 | ||
| 搜索关键词： | 氮化 半导体 元件 发光二极管 | ||
【主权项】：
1、一种氮化镓半导体元件，至少包含：一基板；一富含金属的氮化物薄膜，位于该基板上；一第一缓冲层，位于该富含金属的氮化物薄膜上；以及一半导体叠层，位于该缓冲层上，其中该富含金属的氮化物薄膜仅覆盖该基板的部分上表面。
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