[发明专利]半导体激光器芯片及其制造方法无效
| 申请号： | 200810088459.6 | 申请日： | 2008-03-31 |
| 公开（公告）号： | CN101276995A | 公开（公告）日： | 2008-10-01 |
| 发明（设计）人： | 近江晋;岸本克彦 | 申请（专利权）人： | 夏普株式会社 |
| 主分类号： | H01S5/22 | 分类号： | H01S5/22 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 彭久云 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体激光器芯片及其制造方法，该方法能够抑制层中断，并且同时减少在水平方向上光辐射角的制造偏差。该方法包括在n型GaAs基板上形成半导体元件层的步骤，该半导体元件层由包括蚀刻标记层的多个半导体层组成；在该半导体元件层中的接触层中形成凹陷部分的步骤，该凹陷部分具有没有到达该蚀刻标记层的深度；以及通过干法蚀刻来蚀刻该半导体元件层且同时用激光监测在该凹陷部分的底区域中的蚀刻深度而形成脊部分的步骤。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体激光器 芯片 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1、一种制造半导体激光器芯片的方法，包括：在基板上形成半导体元件层的步骤，该半导体元件层包括含有蚀刻标记层的多个半导体层；在该半导体元件层中的预定区域中形成凹陷部分的步骤，该凹陷部分具有没有到达该蚀刻标记层的预定深度；以及通过干法蚀刻来蚀刻该半导体元件层并同时监测在该凹陷部分的底区域的蚀刻深度而在该半导体元件层中形成脊部分的步骤。
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