[发明专利]半导体装置无效
| 申请号： | 200810086547.2 | 申请日： | 2008-03-20 |
| 公开（公告）号： | CN101276845A | 公开（公告）日： | 2008-10-01 |
| 发明（设计）人： | 三好诚二;冈田哲也 | 申请（专利权）人： | 三洋电机株式会社;三洋半导体株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/861 | 分类号： | H01L29/861;H01L29/417 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 陶凤波 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 一种半导体装置，在半导体基板的第一主面上设置电导率调制型元件的半导体装置(如pn结二极管)中，为缩短反向回复时间，若降低p型杂质区域的杂质浓度，则产生空穴的注入减少，某一电流点的正向电压值增大的问题。本发明中，使第二电极与半导体基板选择性接触。即在半导体基板的第二主面上设置具有开口部的绝缘膜，在绝缘膜上设置第二电极。第二电极经开口部与半导体基板的第二主面接触。使开口部总面积约为半导体基板第二主面总面积的二分之一。由此，由于绝缘膜少数载流子(空穴)的脱离被阻止，在第二电极附近减少少数载流子的消失。故由于电导率调制效果提高，为了缩短反向回复时间而降低p型杂质区域的杂质浓度的结构也可以降低正向电压。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 | ||
【主权项】：
1.一种半导体装置，其特征在于，具有：具有第一主面和第二主面的半导体基板，设置在所述第一主面的电导率调制型的元件区域，设置在所述第一主面侧与所述元件区域连接的第一电极，设置在所述第二主面的绝缘膜，选择性地设置在该绝缘膜的多个开口部，覆盖所述绝缘膜而设置，经由该开口部与所述半导体基板的所述第二主面接触的第二电极。
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