[发明专利]低温共烧陶瓷基板及其制作方法以及半导体封装装置无效
| 申请号： | 200810081289.9 | 申请日： | 2008-02-26 |
| 公开（公告）号： | CN101236950A | 公开（公告）日： | 2008-08-06 |
| 发明（设计）人： | 申铉沃;崔成勋;李相润 | 申请（专利权）人： | 日月光半导体制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/498 | 分类号： | H01L23/498;H01L23/13;H01L23/00;H01L21/48;H05K1/02;H05K3/00 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 陶凤波 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种低温共烧陶瓷基板。该低温共烧陶瓷基板包含多个基板单元及至少一切割图案。其中切割图案配置于两相邻的这些基板单元之间。本发明亦披露一种低温共烧陶瓷基板的制作方法及一种半导体封装装置。通过设置切割图案于低温共烧陶瓷基板上，使得切割设备于切割低温共烧陶瓷基板时，产生较少的摩擦应力，以降低陶瓷基板损毁的机率，由此提高生产良率，进而降低成本。 | ||
| 搜索关键词： | 低温 陶瓷 及其 制作方法 以及 半导体 封装 装置 | ||
【主权项】：
1、一种低温共烧陶瓷基板，包含：多个基板单元；以及至少一切割图案，配置于两相邻的这些基板单元之间。
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