[发明专利]SANOS存储单元结构无效
| 申请号： | 200810040291.1 | 申请日： | 2008-07-03 |
| 公开（公告）号： | CN101621007A | 公开（公告）日： | 2010-01-06 |
| 发明（设计）人： | 三重野文健 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L21/8247;H01L21/84;H01L29/792;H01L29/51;H01L27/115;H01L27/12 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人： | 刘继富;顾晋伟 |
| 地址： | 201210*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供具有硅-氧化铝-氮化物-氧化物-半导体(SANOS)存储单元结构的半导体器件。所述器件包括具有表面、在该表面中的源极区和漏极区的硅衬底。该漏极区和源极区彼此分离。该器件还包括在所述表面上和源极区与漏极区之间的限制的介电结构。该限制的介电结构顺序地包括氧化硅层、氮化硅层、和氧化铝层。另外，该器件包括覆盖在所述氧化铝层上的栅极区。在一个具体的实施方案中，该栅极区由图案化非晶硅层制成。在另一个具体的实施方案中，该栅极区包括多晶硅层。在一个替代的实施方案中，提供制造相同存储单元结构并可以重复以三维性地集成该结构或嵌入用于片上系统应用的方法。 | ||
| 搜索关键词： | sanos 存储 单元 结构 | ||
【主权项】：
1.一种制造硅-氧化铝-氮化物-氧化物-硅(SANOS)存储单元结构的方法，该方法包括：提供硅衬底，所述硅衬底具有表面区域；在所述表面区域上形成顺序包括氧化硅层、氮化硅层和氧化铝层的多层介电膜；形成覆盖所述氧化铝层的栅极层；图案化和蚀刻所述多层介电膜和所述栅极层以形成限制的结构，在所述限制的结构之外的表面区域是暴露的；所述限制的结构包括在所述多层介电膜上的栅电极；和在所述表面区域中形成源极区和漏极区，所述源极区和漏极区彼此分离地位于所述限制的结构的相对侧。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
