[发明专利]用于晶片边缘处理的方法和装置

摘要

用于补救等离子体斜角刻蚀过程中对该基板造成的与电弧有关的损害的方法和装置。等离子体罩被置于该基板上方以防止在两个环形接地板之间产生的等离子体与该基板上的暴露的金属化相接触。附加地或替换地，可以使用无碳氟化工艺源气体或在等离子体产生过程中将RF偏置功率逐渐升高以减少在斜角刻蚀过程中的与电弧有关的损害。另外，附加地或替换的，氦和/或氢可以被添加到工艺源气体中以减少在斜角刻蚀过程中的与电弧有关的损害。

主权项

1.一种具有被配置为处理基板的等离子体处理室的等离子体处理系统，包含：RF功率源；在所述处理过程中，被配置为支撑所述基板的下电极，所述下电极从所述RF功率源接收至少一个RF信号，以在所述处理过程中在所述等离子体处理室内生成等离子体；配置于所述基板上方的第一环形接地电极；配置于所述基板下方的第二环形接地电极，所述第一环形接地电极和所述第二环形接地电极如此配置使得所述基板的圆周边缘以直接视线的方式暴露于所述第一环形接地电极的至少一部分和所述第二环形接地电极的至少一部分；以及配置于所述基板的至少一部分上方的等离子体罩，所述等离子体罩配置为在所述处理过程中，防止所述等离子体在所述等离子体罩和所述基板的所述部分之间的区域中形成。