[发明专利]半导体存储器件及其制造方法无效
| 申请号： | 200710152021.5 | 申请日： | 2007-09-26 |
| 公开（公告）号： | CN101154634A | 公开（公告）日： | 2008-04-02 |
| 发明（设计）人： | 弗朗茨·霍夫曼恩;约瑟夫·威勒 | 申请（专利权）人： | 奇梦达股份公司 |
| 主分类号： | H01L21/8247 | 分类号： | H01L21/8247;H01L21/768;H01L27/115;H01L23/522 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 余刚;尚志峰 |
| 地址： | 德国*** | 国省代码： | 德国;DE |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 在载体上方形成存储单元阵列和多个选择晶体管的栅叠层，这些栅叠层被隔离层分隔开。在设置有源极线的区域中的隔离层之间形成开口。施加牺牲层以填充开口，接着将其图样化。使用介电材料的平坦化层填充空隙。去除牺牲层的剩余部分，然后施加导电材料以形成源极线。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 存储 器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.半导体存储器件的制造方法，包括：在载体上方形成存储单元阵列和多个选择晶体管的栅叠层；在所述栅叠层之间形成隔离层；在为源极线和位线触点提供的区域中的所述隔离层之间形成开口；施加牺牲层并使用所述牺牲层填充所述开口；图样化所述牺牲层以形成具有空隙的剩余部分，所述剩余部分填充所述开口；使用介电材料的平坦化层填充所述空隙；去除所述牺牲层的所述剩余部分；以及施加导电材料以形成源极线和位线通孔。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
