[发明专利]存储器件的读取方法有效
| 申请号： | 200710145276.9 | 申请日： | 2007-08-17 |
| 公开（公告）号： | CN101252020A | 公开（公告）日： | 2008-08-27 |
| 发明（设计）人： | 王钟铉;郑畯燮;朱锡镇 | 申请（专利权）人： | 海力士半导体有限公司 |
| 主分类号： | G11C16/26 | 分类号： | G11C16/26 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人： | 杨生平;杨林森 |
| 地址： | 韩国京畿*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 一种包括MLC的存储器件的读取方法，包括下列步骤：根据第一读取命令执行数据读取操作；确定读取的数据的错误校正是否是可能的，如果作为确定的结果错误校正是困难的，则根据第二读取命令执行数据读取操作；根据第二读取命令确定读取的数据的错误校正是否可能；且如果作为确定的结果错误校正是困难的，则根据第N个(N≥3，N为整数)读取命令执行数据读取操作。 | ||
| 搜索关键词： | 存储 器件 读取 方法 | ||
【主权项】：
1. 一种包括多级单元(MLC)的存储器件的读取方法，所述方法包括：根据使用第一读取电压的第一读取命令，执行读取操作以读取存储块，所述存储块包括多个页；如果使用所述第一读取命令的所述读取操作导致超过第一水平的第一错误率，则用使用第二读取电压的第二读取命令执行所述读取操作；以及如果使用所述第二读取命令的所述读取操作导致超过第二水平的第二错误率，则用使用第三读取电压的第三读取命令执行所述读取操作。
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