[发明专利]等离子体掺杂装置无效
| 申请号： | 200710127005.0 | 申请日： | 2003-09-30 |
| 公开（公告）号： | CN101276748A | 公开（公告）日： | 2008-10-01 |
| 发明（设计）人： | 奥村智洋;中山一郎;水野文二;佐佐木雄一朗 | 申请（专利权）人： | 松下电器产业株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/223 | 分类号： | H01L21/223;H01J37/32;H05H1/46 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 | 代理人： | 沙永生 |
| 地址： | 日本国大*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 为了实现稳定的低浓度掺杂的等离子体掺杂装置，具备真空容器、用于将气体输入上述真空容器内的供气装置、用于从上述真空容器内排出气体的排气装置、用于将上述真空容器内的压力控制在规定压力的调压阀、用于在上述真空容器内放置试样的试样电极、等离子体发生装置、装有作为2个可变阻抗器件的环形磁芯的等离子体发生装置用匹配电路、以及通过上述等离子体发生装置用匹配电路将高频功率供给上述等离子体发生装置的高频电源。 | ||
| 搜索关键词： | 等离子体 掺杂 装置 | ||
【主权项】：
1. 等离子体掺杂装置，其特征在于，具备真空容器、用于将气体输入上述真空容器内的供气装置、用于从上述真空容器内排出气体的排气装置、用于将上述真空容器内的压力控制在规定压力的调压阀、用于在上述真空容器内放置试样的试样电极、等离子体发生装置、装有作为2个可变阻抗器件的环形磁芯的等离子体发生装置用匹配电路、以及通过上述等离子体发生装置用匹配电路将高频功率供给上述等离子体发生装置的高频电源。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
