[发明专利]包括所有背面接触结构的光电器件以及相关处理无效
| 申请号： | 200710126319.9 | 申请日： | 2007-06-29 |
| 公开（公告）号： | CN101097969A | 公开（公告）日： | 2008-01-02 |
| 发明（设计）人： | J·N·约翰逊;V·马尼文南 | 申请（专利权）人： | 通用电气公司 |
| 主分类号： | H01L31/072 | 分类号： | H01L31/072;H01L31/20 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 王庆海;王小衡 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 一种半导体结构包括一种导电类型的半导体衬底，其具有前表面和后表面。将第一非晶半导体层涂敷到前表面上；将第二和第三非晶半导体层设置在衬底的部分后表面上。第二和第三层每一个都沿其深度有组分梯度，从在与衬底的界面处的基本本征到其相反表面处的基本导电。在一些情况下，第一半导体层也有组分梯度，同时在其他情况下，其特性是本征的。半导体结构可用作太阳能电池；和包括多个这种电池的模块表示为本发明的另一实施例。也描述了用于制造光电器件的方法。 | ||
| 搜索关键词： | 包括 所有 背面 接触 结构 光电 器件 以及 相关 处理 | ||
【主权项】：
1.一种半导体结构，包括：(a)一种导电类型的半导体衬底(10)，其具有前表面(12)和后表面(14)；(b)第一非晶半导体层(16)，其设置在半导体衬底(10)的前表面(12)上；(c)第二非晶半导体层(22)，其设置在半导体衬底(10)的后表面(14)的一部分上，其中第二非晶半导体层(22)沿着其深度有组分梯度，从与衬底(10)的界面处的基本本征到相反侧处的基本导电，所述第二非晶半导体层(22)具有通过结合所选择的掺杂剂原子获得的所选的导电类型；和(d)第三非晶半导体层(32)，其被设置在半导体衬底(10)的后表面(14)的另一部分上并且与第二非晶半导体层(22)间隔开，其中第三非晶半导体层(32)沿其深度有组分梯度，从与衬底(10)的界面处的基本本征到相对侧上的基本导电，所述第三非晶半导体层(32)具有通过结合所选择的掺杂剂原子获得的与第二非晶层(22)的导电类型不同的导电类型。
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- 彭奎庆 - 北京师范大学
- 2008-03-26 - 2008-09-10 - H01L31/072
- 本发明公开了一种属于太阳能电池技术领域的硅纳米线阵列太阳能电池装置。其特征在于所述透明氧化铟锡导电薄膜层和P型硅基底层之间含有p型纳米硅线/n型非晶硅三维异质结层。所述太阳能转换装置含有依次相叠的各层为：Ti/Pd/Ag栅形电极，作为正面引出电极；透明ITO导电薄膜层，起透光作用并作为正面引出电极；n型非晶硅位于p型纳米硅线之上，与p型纳米硅线形成p－n异质结；p型纳米硅线位于P型硅基底层之上，与n型非晶硅形成三维p－n异质结。同时也作为太阳电池的减反射层；P型硅基底层，作为太阳能电池的基区；铝金属膜背电极，作为背面引出电极。本发明提供的这种具有新型结构的太阳能转换装置，光吸收能力强，光电转换效率高。
- 一种太阳能电池结构及其制备方法-200710018344.5
- 王青;戴剑峰;李维学;魏智强;冯旺军;姜金龙;马军;张嵩波;崔永福;李扬;姚东;张超 - 兰州理工大学
- 2007-07-02 - 2008-09-03 - H01L31/072
- 一种太阳能电池结构及其制备方法，采用C60(OH)24作为异质结的n型材料，以共轭导电聚合物聚噻酚衍生物PEDOT为异质结的p型材料，将以上两种材料与单壁碳纳米管聚合成共混异质结膜，以在玻璃板上涂有氧化铟锡的薄膜作为阳极，以铝膜为阴极；其制备方法为：首先将制备的纯度为99.5％的C60加入浓硝酸和浓硫酸混合溶液中，在超声振荡下反应三天，再加入NaOH水溶液，使pH值达到7，蒸发掉溶剂，得到水溶性C60(OH)24的结晶体；在丙酮中用超声清洗涂有氧化铟锡薄膜的玻璃板；用浓硝酸和浓硫酸氧化法提纯单壁纳米碳管；将C60(OH)24、PEDOT和单壁碳纳米管在超声振荡下制成的水溶液旋涂在氧化铟锡薄膜上，在120℃下干燥45分钟，形成共混异质结膜。
- 组成渐变光伏装置及其制备方法与相关制品技术-200680027599.1
- 詹姆斯·N·约翰逊;文凯特森·马尼范南 - 通用电气公司
- 2006-07-11 - 2008-07-30 - H01L31/072
- 本发明披露一种半导体结构，该半导体结构包括一种传导类型的半导体基体；和设置于该半导体基体至少一个表面上的无定形半导体层。该无定形半导体层沿其深度方向组成渐变，从与基体的界面上基本上为本征性变化为在相对侧上基本上为传导性。本发明还披露包括该结构的光伏装置光伏装置，一个或多个所述装置组成了太阳能电池组件。本发明还披露相关方法。
- 一种薄膜硅/晶体硅背结太阳能电池-200710304230.7
- 赵雷;王文静;刁宏伟 - 中国科学院电工研究所
- 2007-12-26 - 2008-06-11 - H01L31/072
- 一种薄膜硅/晶体硅背结太阳能电池，包括p型硅衬底(1)，在p型硅衬底(1)背光面上的n型掺杂薄膜硅层(2)，在n型掺杂薄膜硅层(2)上的背电极(3)，以及在p型硅衬底(1)迎光面上的前透明导电电极(4)。在p型硅衬底(1)和n型掺杂薄膜硅层(2)之间可加入第一种本征薄膜硅层(5)；亦可在p型硅衬底(1)和前透明导电电极(4)之间加入第二种本征薄膜硅层(6)和/或p型掺杂薄膜硅层(7)；在前透明导电电极(4)上还可以有金属栅线(8)。
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
