[发明专利]去除硅衬底表面氧化硅层及形成接触孔的方法有效
| 申请号： | 200710094475.1 | 申请日： | 2007-12-13 |
| 公开（公告）号： | CN101459071A | 公开（公告）日： | 2009-06-17 |
| 发明（设计）人： | 何其旸 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/3105 | 分类号： | H01L21/3105;H01L21/768;H01L21/60 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人： | 李 丽 |
| 地址： | 201203*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种去除硅衬底表面氧化硅层的方法，包括如下步骤：将带有氧化硅层的硅衬底置入刻蚀设备中，所述硅衬底表面形成有氧化硅层，所述刻蚀设备中形成有NH4F原子团，其与硅衬底表面氧化硅层发生反应生成固态(NH4)2SiF6；将硅衬底加热，使硅衬底上的(NH4)2SiF6气化，抽出加热设备中的(NH4)2SiF6气体。相应的，本发明还提供一种形成接触孔的方法。本发明通过把硅衬底表面的自然氧化硅层转化成氟硅酸氨以钝化硅衬底表面，然后加热，使氟硅酸氨气化，抽走氟硅酸氨的气体，去除了硅衬底表面的氧化硅层，防止了现有技术的对硅衬底表面造成损伤。 | ||
| 搜索关键词： | 去除 衬底 表面 氧化 形成 接触 方法 | ||
【主权项】：
1. 一种去除硅衬底表面氧化硅层的方法，其特征在于，包括如下步骤：将带有氧化硅层的硅衬底置入刻蚀设备中，所述硅衬底表面形成有氧化硅层，所述刻蚀设备中形成有NH4F原子团，其与硅衬底表面氧化硅层发生反应生成固态(NH4)2SiF6；将硅衬底加热，使硅衬底上的(NH4)2SiF6气化。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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