[发明专利]局部硅氧化隔离结构的制备方法有效
| 申请号： | 200710093953.7 | 申请日： | 2007-07-17 |
| 公开（公告）号： | CN101350327A | 公开（公告）日： | 2009-01-21 |
| 发明（设计）人： | 王乐;周晓君 | 申请（专利权）人： | 上海华虹NEC电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/762 | 分类号： | H01L21/762 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 | 代理人： | 丁纪铁 |
| 地址： | 201206上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种局部硅氧化隔离结构的制备方法，其在现有标准的LOCOS工艺流程后，在硅表面接着热生长另一层氧化硅和硼磷硅玻璃，并对硼磷硅玻璃进行热回流处理，而后湿法刻蚀上述硼磷硅玻璃和氧化硅层，形成一平坦的硅表面。通过上述步骤将原来的LOCOS隔离结构中部分鸟嘴区域通过湿法刻蚀去除掉，留下鸟嘴区域明显减少的LOCOS隔离结构和平坦的硅表面，使得LOCOS隔离结构适用于器件尺寸不断缩小的要求，可广泛应用于半导体器件制造中。 | ||
| 搜索关键词： | 局部 氧化 隔离 结构 制备 方法 | ||
【主权项】：
1、一种局部硅氧化隔离结构的制备方法，其包括硅衬底上生长氧化层和其上生长氮化硅层，光刻刻蚀出需要生长LOCOS的区域，刻蚀出的硅区域氧化生长出一厚氧化硅层，去除硅衬底表面的氮化硅层和氧化层，其特征在于，所述制备方法进一步包括：在去除硅衬底表面的氮化硅层和氧化层后热生长另一层氧化硅；接着沉积一层硼磷硅玻璃，并进行热回流处理；最后是刻蚀掉硅表面上所述硼磷硅玻璃和所述氧化硅，形成平坦的硅表面。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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