[发明专利]非易失性存储单元的制作方法无效
| 申请号： | 200710088418.2 | 申请日： | 2007-03-22 |
| 公开（公告）号： | CN101271846A | 公开（公告）日： | 2008-09-24 |
| 发明（设计）人： | 吕威伯;陈大川 | 申请（专利权）人： | 力晶半导体股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L21/8247 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 陶凤波 |
| 地址： | 中国台湾新竹*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种制作非易失性存储单元的方法，首先提供基底，其中形成有一沟槽，且沟槽侧壁依序形成有隧穿氧化层以及浮置栅极。然后在沟槽内形成控制栅极，再进行高密度等离子体沉积工艺，在控制栅极的顶部表面形成高密度等离子体氧化层。 | ||
| 搜索关键词： | 非易失性 存储 单元 制作方法 | ||
【主权项】：
1. 一种制作非易失性存储单元的方法，其包含：提供基底，该基底中形成有一沟槽，且该沟槽侧壁依序形成有隧穿氧化层以及浮置栅极；在该沟槽内形成控制栅极；以及进行高密度等离子体沉积工艺，以在该控制栅极的顶部表面形成高密度等离子体氧化层。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于力晶半导体股份有限公司，未经力晶半导体股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200710088418.2/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
