[发明专利]半导体装置及其形成方法无效
申请号: | 200710086987.3 | 申请日: | 2007-03-29 |
公开(公告)号: | CN101047154A | 公开(公告)日: | 2007-10-03 |
发明(设计)人: | 李明机;卢思维;郭祖宽;李建勋 | 申请(专利权)人: | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
主分类号: | H01L23/28 | 分类号: | H01L23/28;H01L23/29;H01L23/31;H01L23/488;H01L23/50;H01L21/50;H01L21/56;H01L21/60 |
代理公司: | 北京林达刘知识产权代理事务所 | 代理人: | 刘新宇 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | 本发明是提供一种半导体装置及其形成方法。上述半导体装置的形成方法包含:通过介于一集成电路芯片与一封装基板或印刷电路板之间的多个软焊料凸块,将上述集成电路芯片与上述封装基板或印刷电路板结合,上述集成电路芯片具有至少一介电层,上述介电层的介电常数较好为不大于3.0,上述软焊料的铅浓度较好为不大于5wt%;以及形成一多层式的底胶层于上述集成电路芯片与上述封装基板或印刷电路板之间。本发明所述的半导体装置及其形成方法,可提升半导体装置的可靠度。 | ||
搜索关键词: | 半导体 装置 及其 形成 方法 | ||
【主权项】:
1.一种半导体装置,其特征在于,该半导体装置包含:一集成电路芯片,其具有至少一介电层,该集成电路芯片是通过介于该集成电路芯片与一封装基板或印刷电路板之间的多个软焊料凸块,与该封装基板或印刷电路板结合;一底胶层位于该集成电路芯片与该封装基板或印刷电路板之间;以及一缓冲层,位于该底胶层与该集成电路芯片之间。
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