[发明专利]光电器件的封装方法无效
申请号: | 200710065098.9 | 申请日: | 2007-04-03 |
公开(公告)号: | CN101030544A | 公开(公告)日: | 2007-09-05 |
发明(设计)人: | 邱勇;吴空物;高裕弟 | 申请(专利权)人: | 清华大学;北京维信诺科技有限公司 |
主分类号: | H01L21/54 | 分类号: | H01L21/54;H01L23/20;H01L23/373;H01L33/00;H01L51/56;H01L51/54;H01L27/32 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 100084北*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本发明涉及一种光电器件的封装方法,属于封装工艺技术领域。本发明的光电器件封装方法是,在器件封装区域中充斥一种导热气体,该导热气体选自氢气、氦气、混合有氢气的氮气、混合有氦气的氮气、混合有氢气的氩气或混合有氦气的氩气中的一种,其中氢气或氦气占混合气体的浓度为10%-90%的体积比,优选为50%-70%的体积比。本发明的封装方法既可以防止器件受空气中水汽和氧气的影响,同时也可以提高气体的导热性能,从而提高发光器件的稳定性和使用寿命。 | ||
搜索关键词: | 光电 器件 封装 方法 | ||
【主权项】:
1.一种光电器件的封装方法,其特征在于,在器件封装区域中充斥一种导热气体,该导热气体选自氢气、氦气、混合有氢气的氮气、混合有氦气的氮气、混合有氢气的氩气或混合有氦气的氩气中的一种。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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