[发明专利]凹栅槽的AlGaN/GaN HEMT多层场板器件及其制作方法无效
| 申请号： | 200710064863.5 | 申请日： | 2007-03-28 |
| 公开（公告）号： | CN101276837A | 公开（公告）日： | 2008-10-01 |
| 发明（设计）人： | 刘果果;刘新宇;郑英奎 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L21/335 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 周国城 |
| 地址： | 100029*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明涉及半导体材料中微波功率器件技术领域，公开了一种凹栅槽的AlGaN/GaN HEMT多层场板器件，同时公开了一种制作凹栅槽的AlGaN/GaN HEMT多层场板器件的方法，该方法基于常规的AlGaN/GaNHEMT器件制作工艺，在形成源极和漏极的欧姆接触后，光刻栅图形，对栅图形部分的AlGaN外延层进行刻蚀，蒸发栅金属后，先制作栅连接场板，再制作源连接场板，形成凹栅槽的AlGaN/GaN HEMT多层场板器件。利用本发明，有效地提高了AlGaN/GaN HEMT器件的击穿特性、跨导和阈值电压，并在提高器件增益的同时，有效抑制了AlGaN/GaN HEMT器件的电流崩塌现象。 | ||
| 搜索关键词： | 凹栅槽 algan gan hemt 多层 器件 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
1. 一种凹栅槽的AlGaN/GaN HEMT多层场板器件，其特征在于，该器件包括：栅极，位于栅极两侧的源极和漏极；所述栅极、源极和漏极位于衬底材料顶层铝镓氮AlGaN外延层上；在形成了栅极、源极和漏极的器件表面淀积的SiN介质膜；在所述SiN介质膜上蒸发栅连接场板的图形；在蒸发了栅连接场板的图形的器件表面二次淀积的SiN介质膜；在二次淀积的SiN介质膜上蒸发源连接场板的图形。
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