[发明专利]浅沟槽隔离结构平坦化性能检测方法有效
| 申请号： | 200710041359.3 | 申请日： | 2007-05-28 |
| 公开（公告）号： | CN101315901A | 公开（公告）日： | 2008-12-03 |
| 发明（设计）人： | 刘闽锋;廖奇泊;周雯 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66;H01L21/762 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人： | 逯长明 |
| 地址： | 201203*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种浅沟槽隔离结构平坦化性能检测方法，包括：提供形成浅沟槽隔离结构的晶圆，所述浅沟槽隔离结构的隔离氧化层进行过平坦化处理；在所述晶圆上制作集成电路；对所述晶圆进行晶圆可接受性测试；根据可接受性测试数据判断浅沟槽隔离结构平坦化性能；选出浅沟槽隔离结构平坦化性能不合格的晶圆。所述检测方法可以及早发现不合格的晶圆，并可以及时改进浅沟槽隔离结构平坦化工艺，而且，在晶圆进入测试工艺提前进行电性能测试，挑选出不合格产品，提高了出厂的晶圆的良率。 | ||
| 搜索关键词： | 沟槽 隔离 结构 平坦 化性 检测 方法 | ||
【主权项】：
1.一种浅沟槽隔离结构平坦化性能检测方法，其特征在于，包括：提供形成浅沟槽隔离结构的晶圆，所述浅沟槽隔离结构的隔离氧化层进行过平坦化处理；在所述晶圆上制作集成电路；对所述晶圆进行晶圆可接受性测试；根据可接受性测试数据判断浅沟槽隔离结构平坦化处理性能；选出浅沟槽隔离结构平坦化处理不合格的晶圆。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中芯国际集成电路制造（上海）有限公司，未经中芯国际集成电路制造（上海）有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200710041359.3/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
