[发明专利]一种金属引线的刻蚀方法无效

专利信息
申请号: 200710040652.8 申请日: 2007-05-15
公开(公告)号: CN101308765A 公开(公告)日: 2008-11-19
发明(设计)人: 楼丰瑞;张京晶 申请(专利权)人: 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
主分类号: H01L21/00 分类号: H01L21/00;H01L21/3213;H01L21/28;H01L21/768
代理公司: 上海智信专利代理有限公司 代理人: 王洁
地址: 2012*** 国省代码: 上海;31
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摘要: 发明提供了一种金属引线的刻蚀方法,用于具有刻蚀腔及剥离腔的等离子刻蚀设备中,该剥离腔中设置有用于放置晶圆的置放台及用于抬升并支撑晶圆的抬升支撑机构。现有技术在剥离光阻时晶圆始终放置在置放台上,致使附着在晶圆表面的活性氯元素未被去除干净而腐蚀金属引线。本发明的方法先在刻蚀腔中通入氯气进行刻蚀;然后再将刻蚀后的晶圆放置在置放台上,并加热该剥离腔至预定温度;之后驱动剥离腔至一稳定状态,并对晶圆进行初次钝化;接着进行光阻剥离;然后驱动剥离腔至该稳定状态,并对晶圆再次进行钝化;最后通过抬升支撑机构将该晶圆抬升至离开置放台的位置,再对该晶圆进行第三次钝化。采用本发明的方法可避免活性氯元素残留而腐蚀金属引线。
搜索关键词: 一种 金属 引线 刻蚀 方法
【主权项】:
1、一种金属引线的刻蚀方法,用于一具有刻蚀腔及剥离腔的等离子刻蚀设备中,该剥离腔中设置有一用于放置晶圆的置放台以及一用于抬升晶圆离开置放台并支撑晶圆的抬升支撑机构,该方法包括以下步骤:(1)将需进行刻蚀的晶圆设置在刻蚀腔中,并通入氯气进行刻蚀以形成所需金属引线;(2)将刻蚀后的晶圆放置在置放台上,并加热该剥离腔至一预定温度;(3)驱动剥离腔至一稳定状态,并对该晶圆进行第一次钝化;(4)进行光阻剥离;(5)驱动剥离腔至该稳定状态,并对该晶圆进行第二次钝化;其特征在于,该方法还包括步骤(6),通过抬升支撑机构将该晶圆抬升至离开置放台的位置,再对该晶圆进行第三次钝化。
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