[发明专利]一种金属引线的刻蚀方法

说明书

技术领域

本发明涉及金属引线的刻蚀，特别涉及一种金属引线的刻蚀方法。

背景技术

刻蚀金属形成金属引线通常包括刻蚀金属和剥离光刻胶两个步骤，其分别在等离子刻蚀设备的刻蚀腔及剥离腔中进行，其中，所述剥离腔中设置有一用于放置晶圆的置放台和一用于抬升晶圆离开置放台并支撑晶圆的抬升支撑机构，金属引线的刻蚀具体包括以下步骤：(a)将需进行刻蚀的晶圆设置在刻蚀腔中，并通入氯气进行刻蚀以形成所需金属引线；(b)将刻蚀后的晶圆放置在置放台上，并加热所述剥离腔至280摄氏度；(c)驱动剥离腔至一稳定状态，并对所述晶圆进行第一次钝化；(d)进行光阻剥离；(e)驱动剥离腔至所述稳定状态，并对所述晶圆进行第二次钝化。在完成上述步骤后，晶圆会通过抬升支撑机构离开置放台，然后由其他诸如机械手的输出模块将所述完成刻蚀及剥离的晶圆输出至外界。

但是，晶圆在完成上述步骤(a)后的，其表面会粘附有氯气或氯原子等活性氯元素，而后续的步骤均在剥离腔的置放台上进行操作，置放台的面积很大，故附着在晶圆表面的活性氯元素很难被反应气体带走，所述活性氯元素会腐蚀金属引线，实验证明，经过上述处理的晶圆在前端开口片盒(FOUP)中置放78小时后，其表面特别是晶圆边缘区域会出现活性氯元素腐蚀金属引线所产生的颗粒状金属氯化物，从而造成器件质量的下降。

发明内容

本发明的目的在于提供一种金属引线的刻蚀方法，通过所述方法可避免活性氯元素腐蚀金属引线。

本发明的目的是这样实现的：一种金属引线的刻蚀方法，用于一具有刻蚀腔及剥离腔的等离子刻蚀设备中，该剥离腔中设置有一用于放置晶圆的置放台以及一用于抬升晶圆离开置放台并支撑晶圆的抬升支撑机构，该方法包括以下步骤：(1)将需进行刻蚀的晶圆设置在刻蚀腔中，并通入氯气进行刻蚀以形成所需金属引线；(2)将刻蚀后的晶圆放置在置放台上，并加热该剥离腔至一预定温度；(3)驱动剥离腔至一稳定状态，并对该晶圆进行第一次钝化；(4)进行光阻剥离；(5)驱动剥离腔至该稳定状态，并对该晶圆进行第二次钝化；(6)通过抬升支撑机构将该晶圆抬升至离开置放台的位置，再对该晶圆进行第三次钝化。

在上述的金属引线的刻蚀方法中，该抬升支撑机构与晶圆接触的面积小于该置放台与晶圆接触的面积。

在上述的金属引线的刻蚀方法中，该抬升支撑机构为与晶圆相匹配且对称分布的支撑柱。

在上述的金属引线的刻蚀方法中，在步骤(2)中，加热剥离腔时剥离腔中的压力为1200帕斯卡，氧气流量为2000标准毫升每分，水蒸气流量为1000标准毫升每分，该预定温度为280摄氏度。

在上述的金属引线的刻蚀方法中，该稳定状态为剥离腔中的压力为400帕斯卡，水蒸气流量为1900标准毫升每分。

在上述的金属引线的刻蚀方法中，在步骤(4)中，剥离腔中的压力为133.36帕斯卡，氮气流量为280标准毫升每分，氧气流量为4000标准毫升每分，微波功率为2000瓦，剥离时间为90秒。

在上述的金属引线的刻蚀方法中，进行钝化时剥离腔中的压力为400帕斯卡，水蒸气流量为1900标准毫升每分，微波功率为2000瓦。

在上述的金属引线的刻蚀方法中，该第一次钝化的时间为45秒，该第二次钝化的时间为10秒，该第三次钝化的时间为30秒。

与现有技术中在剥离腔中剥离光阻时晶圆一直放置在置放台上相比，本发明的金属引线的刻蚀方法在完成第二次钝化后通过一抬升支撑结构使晶圆离开置放台，如此将减小晶圆与支撑结构的接触面积，有利于粘附在晶圆上的活性氯元素完全脱离晶圆，可避免活性氯元素残留腐蚀金属引线。

附图说明

本发明的金属引线的刻蚀方法由以下的实施例及附图给出。

图1为本发明的金属引线的刻蚀方法的流程图。

具体实施方式

以下将对本发明的金属引线的刻蚀方法作进一步的详细描述。

本发明的金属引线的刻蚀方法，用于一具有刻蚀腔及剥离腔的等离子刻蚀设备中，所述剥离腔中设置有置放台和抬升支撑机构，其中，所述置放台用于放置晶圆以供进行光阻剥离，抬升支撑机构用于抬升晶圆离开置放台并支撑晶圆，所述抬升支撑机构与晶圆接触的面积小于所述置放台与晶圆接触的面积。在本实施例中，所述等离子刻蚀设备为微波等离子刻蚀设备，所述抬升支撑机构为与晶圆相匹配且对称分布的支撑柱，所述支撑柱可通过负压吸附等方式与晶圆接触。