[发明专利]一种金属引线的刻蚀方法无效
申请号: | 200710040652.8 | 申请日: | 2007-05-15 |
公开(公告)号: | CN101308765A | 公开(公告)日: | 2008-11-19 |
发明(设计)人: | 楼丰瑞;张京晶 | 申请(专利权)人: | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
主分类号: | H01L21/00 | 分类号: | H01L21/00;H01L21/3213;H01L21/28;H01L21/768 |
代理公司: | 上海智信专利代理有限公司 | 代理人: | 王洁 |
地址: | 2012*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 金属 引线 刻蚀 方法 | ||
1、一种金属引线的刻蚀方法,用于一具有刻蚀腔及剥离腔的等离子刻蚀设备中,该剥离腔中设置有一用于放置晶圆的置放台以及一用于抬升晶圆离开置放台并支撑晶圆的抬升支撑机构,该方法包括以下步骤:(1)将需进行刻蚀的晶圆设置在刻蚀腔中,并通入氯气进行刻蚀以形成所需金属引线;(2)将刻蚀后的晶圆放置在置放台上,并加热该剥离腔至一预定温度;(3)驱动剥离腔至一稳定状态,并对该晶圆进行第一次钝化;(4)进行光阻剥离;(5)驱动剥离腔至该稳定状态,并对该晶圆进行第二次钝化;其特征在于,该方法还包括步骤(6),通过抬升支撑机构将该晶圆抬升至离开置放台的位置,再对该晶圆进行第三次钝化。
2、如权利要求1所述的金属引线的刻蚀方法,其特征在于,该抬升支撑机构与晶圆接触的面积小于该置放台与晶圆接触的面积。
3、如权利要求2所述的金属引线的刻蚀方法,其特征在于,该抬升支撑机构为与晶圆相匹配且对称分布的支撑柱。
4、如权利要求1所述的金属引线的刻蚀方法,其特征在于,在步骤(2)中,加热剥离腔时剥离腔中的压力为1200帕斯卡,氧气流量为2000标准毫升每分,水蒸气流量为1000标准毫升每分,该预定温度为280摄氏度。
5、如权利要求1所述的金属引线的刻蚀方法,其特征在于,该稳定状态为剥离腔中的压力为400帕斯卡,水蒸气流量为1900标准毫升每分。
6、如权利要求1所述的金属引线的刻蚀方法,其特征在于,在步骤(4)中,剥离腔中的压力为133.36帕斯卡,氮气流量为280标准毫升每分,氧气流量为4000标准毫升每分,微波功率为2000瓦,剥离时间为90秒。
7、如权利要求1所述的金属引线的刻蚀方法,其特征在于,进行钝化时剥离腔中的压力为400帕斯卡,水蒸气流量为1900标准毫升每分,微波功率为2000瓦。
8、如权利要求1所述的金属引线的刻蚀方法,其特征在于,该第一次钝化的时间为45秒。
9、如权利要求1所述的金属引线的刻蚀方法,其特征在于,该第二次钝化的时间为10秒。
10、如权利要求1所述的金属引线的刻蚀方法,其特征在于,该第三次钝化的时间为30秒。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造