[发明专利]半导体集成电路工艺中形成浅沟槽隔离区域的方法无效
| 申请号： | 200710037625.5 | 申请日： | 2007-02-16 |
| 公开（公告）号： | CN101246842A | 公开（公告）日： | 2008-08-20 |
| 发明（设计）人： | 王树林;陈爱华;严利均 | 申请（专利权）人： | 中微半导体设备（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/762 | 分类号： | H01L21/762;H01L21/31 |
| 代理公司： | 上海智信专利代理有限公司 | 代理人： | 王洁 |
| 地址： | 201201上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种在半导体集成电路工艺中形成浅沟槽隔离区域(shallow trench insulation；STI)的方法，其特征在于在填充绝缘层的过程中，在浅沟槽中沉积至少一层富含硅的薄膜，以再生一层或若干层再生绝缘膜，用来填充该浅沟槽中所填充进的绝缘层因退火而产生的细缝或孔洞。本发明可以形成具有高深宽比(high aspect ratio)且无细缝或无孔洞的浅沟槽隔离区域。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 集成电路 工艺 形成 沟槽 隔离 区域 方法 | ||
【主权项】：
1. 一种在半导体集成电路工艺中形成浅沟槽隔离区域的方法，该方法至少包含以下步骤：在浅沟槽上形成至少一层共形的内衬层；沉积一第一绝缘层至该浅沟槽的该至少一内衬层上，其中该第一绝缘层并未填满该浅沟槽而留有一保留空间；沉积至少一层富含硅的薄膜于该第一绝缘层的该保留空间中；转化该富含硅的薄膜成一再生绝缘膜，其中所述再生绝缘膜的再生部分大于或等于该第一绝缘层的收缩部分。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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