[发明专利]薄硅单扩散场效应晶体管及其制造方法无效
| 申请号： | 200710001345.9 | 申请日： | 2007-01-10 |
| 公开（公告）号： | CN101000928A | 公开（公告）日： | 2007-07-18 |
| 发明（设计）人： | J·W·斯雷特;L·张;G·沙伊迪;D·M·弗莱德;J·M·荷尔根洛特 | 申请（专利权）人： | 国际商业机器公司 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L27/12;H01L23/522;H01L21/336;H01L21/84 |
| 代理公司： | 北京市中咨律师事务所 | 代理人： | 于静;刘瑞东 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明提供了一种包括薄SOI区域的半导体器件结构，其中SOI器件具有可选的单薄扩散，即偏移，隔离物和单扩散注入。器件的硅厚度足够薄以允许扩散注入与掩埋绝缘体相邻但也足够厚以形成接触硅化物。在nFET和pFET器件区域两者上面都使用应力层衬里膜以增强性能。 | ||
| 搜索关键词： | 薄硅单 扩散 场效应 晶体管 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体结构，包括：绝缘体上半导体(SOI)衬底，至少包括具有小于50nm的器件沟道厚度的上半导体层；至少一个场效应晶体管(FET)，位于所述上半导体层上，所述至少一个FET包括单连续扩散区域，其结深度与所述器件沟道厚度相同；以及应力衬里，位于所述至少一个FET和所述SOI衬底的顶部，所述应力衬里将应力传到所述至少一个FET的沟道。
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