[发明专利]用于除去蚀刻后残余物的含水氧化清洗剂有效
| 申请号： | 200680045616.4 | 申请日： | 2006-10-04 |
| 公开（公告）号： | CN101366107A | 公开（公告）日： | 2009-02-11 |
| 发明（设计）人： | 大卫·W·明赛克;迈克尔·B·克赞斯基;马萨·拉贾拉特纳姆;麦肯齐·金;大卫·昂斯特 | 申请（专利权）人： | 高级技术材料公司 |
| 主分类号： | H01L21/461 | 分类号： | H01L21/461;G03F7/26;G03C5/00 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 王海川;樊卫民 |
| 地址： | 美国康*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明公开了一种用于从其上具有等离子体蚀刻后残余物和/或硬掩模材料的微电子器件上清洗所述残余物的含水氧化清洗组合物和方法。所述含水氧化清洗组合物包括至少一种氧化剂、至少一种氧化剂稳定剂、任选至少一种有机共溶剂、任选至少一种金属螯合剂、任选至少一种缓冲剂和水，所述氧化剂稳定剂包括选自伯胺、仲胺、叔胺和胺－N－氧化物的胺类物质。所述组合物可实现从微电子器件上高效清洗残余材料，同时不会损坏其上存在的层间介电材料和金属互连材料。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 除去 蚀刻 残余物 含水 氧化 洗剂 | ||
【主权项】：
1.一种含水清洗组合物，包括至少一种氧化剂、至少一种氧化剂稳定剂、任选至少一种有机共溶剂、任选至少一种金属螯合剂、任选至少一种缓冲剂和水，所述氧化剂稳定剂包括选自伯胺、仲胺、叔胺和胺-N-氧化物的胺类物质，其中所述含水清洗组合物适合从其上具有等离子体蚀刻后残余物和/或硬掩模材料的微电子器件上清洗所述残余物和/或硬掩模。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
