[发明专利]用于除去蚀刻后残余物的含水氧化清洗剂有效
申请号: | 200680045616.4 | 申请日: | 2006-10-04 |
公开(公告)号: | CN101366107A | 公开(公告)日: | 2009-02-11 |
发明(设计)人: | 大卫·W·明赛克;迈克尔·B·克赞斯基;马萨·拉贾拉特纳姆;麦肯齐·金;大卫·昂斯特 | 申请(专利权)人: | 高级技术材料公司 |
主分类号: | H01L21/461 | 分类号: | H01L21/461;G03F7/26;G03C5/00 |
代理公司: | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人: | 王海川;樊卫民 |
地址: | 美国康*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 用于 除去 蚀刻 残余物 含水 氧化 洗剂 | ||
1.一种含水清洗组合物,包括至少一种氧化剂、至少一种氧化剂稳定剂、任选至少一种有机共溶剂、任选至少一种金属螯合剂、任选至少一种缓冲剂和水,所述氧化剂稳定剂包括选自伯胺、仲胺、叔胺和胺-N-氧化物的胺类物质,其中所述组合物的pH处于3-9的范围,且其中所述含水清洗组合物适合从其上具有等离子体蚀刻后残余物和/或硬掩模材料的微电子器件上清洗所述残余物和/或硬掩模。
2.权利要求1的含水清洗组合物,其中所述等离子体蚀刻后残余物包括选自下列的残余物:含钛化合物、聚合化合物、含铜化合物及其组合。
3.权利要求2的含水清洗组合物,其中所述等离子体蚀刻后残余物还包括选自下列的物质:碳、氮、硅、氧和卤素。
4.权利要求1的含水清洗组合物,其中所述硬掩模材料包括氮化钛。
5.权利要求1的含水清洗组合物,其中所述至少一种氧化剂包括过氧化氢。
6.权利要求1的含水清洗组合物,其中所述至少一种氧化剂稳定剂包括选自下列的胺类物质:一乙醇胺、氨基乙氧基乙醇、一异丙醇胺、异丁醇胺、C2-C8烷醇胺、甲基乙醇胺、N-甲基氨基乙醇、二乙醇胺、三乙醇胺、甲基二乙醇胺、三乙胺、N,N-二甲基甘醇胺、N,N-二甲基二甘醇胺、五甲基二亚乙基三胺、N-甲基吗啉-N-氧化物、三甲胺-N-氧化物、三乙胺-N-氧化物、吡啶-N-氧化物、N-乙基吗啉-N-氧化物、N-甲基吡咯烷-N-氧化物、N-乙基吡咯烷-N-氧化物、取代的衍生物及其组合。
7.权利要求1的含水清洗组合物,其中所述至少一种氧化剂稳定剂包括胺-N-氧化物。
8.权利要求1的含水清洗组合物,其中所述至少一种氧化剂稳定剂包括N-甲基吗啉-N-氧化物。
9.权利要求1的含水清洗组合物,包括过氧化氢和至少一种胺-N-氧化物。
10.权利要求1的含水清洗组合物,包括所述至少一种金属螯合剂,其中所述金属螯合剂包括选自下列的化合物:1,2,4-三唑、苯并三唑、甲苯基三唑、5-苯基-苯并三唑、5-硝基-苯并三唑、3-氨基-5-巯基-1,2,4-三唑、1-氨基-1,2,4-三唑、羟基苯并三唑、2-(5-氨基-戊基)-苯并三唑、1-氨基-1,2,3-三唑、1-氨基-5-甲基-1,2,3-三唑、3-氨基-1,2,4-三唑、3-巯基-1,2,4-三唑、3-异丙基-1,2,4-三唑、5-苯基硫醇-苯并三唑、卤代苯并三唑、萘并三唑、2-巯基苯并咪唑、2-巯基苯并噻唑、4-甲基-2-苯基咪唑、2-巯基噻唑啉、5-氨基四唑、5-氨基-1,3,4-噻二唑-2-硫醇、2,4-二氨基-6-甲基-1,3,5-三嗪、噻唑、三嗪、甲基四唑、1,3-二甲基-2-咪唑啉酮、1,5-五亚甲基四唑、1-苯基-5-巯基四唑、二氨基甲基三嗪、巯基苯并噻唑、咪唑啉硫酮、巯基苯并咪唑、4-甲基-4H-1,2,4-三唑-3-硫醇、5-氨基-1,3,4-噻二唑-2-硫醇、苯并噻唑、磷酸三甲苯酯、苯并异二唑、乙二胺四乙酸、1,2-环己烷二胺-N,N,N′,N′-四乙酸及其组合。
11.权利要求1的含水清洗组合物,包括至少一种有机共溶剂,其中所述有机共溶剂包括选自下列的物质:乙二醇、丙二醇、新戊二醇、1,3-丙二醇、二乙二醇、二丙二醇、甘油、甲酰胺、乙酰胺、高级酰胺、N-甲基吡咯烷酮、N,N-二甲基甲酰胺、N,N-二甲基乙酰胺、环丁砜、二甲亚砜、γ-丁内酯、碳酸亚丙酯、二乙二醇一甲醚、三乙二醇一甲醚、二乙二醇一乙醚、三乙二醇一乙醚、乙二醇一丙醚、乙二醇一丁醚、二乙二醇一丁醚、三乙二醇一丁醚、乙二醇一己醚、二乙二醇一己醚、乙二醇苯醚、丙二醇甲醚、二丙二醇甲醚、三丙二醇甲醚、丙二醇正丙醚、二丙二醇正丙醚、三丙二醇正丙醚、丙二醇正丁醚、二丙二醇正丁醚、三丙二醇正丁醚、丙二醇苯醚及其组合。
12.权利要求1的含水清洗组合物,包括二乙二醇一丁醚。
13.权利要求1的含水清洗组合物,包括所述至少一种缓冲剂,其中所述缓冲剂包括四烷基铵阳离子化合物和酸阴离子化合物。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造