[发明专利]自立式衬底、其制造方法及半导体发光元件有效
| 申请号： | 200680008951.7 | 申请日： | 2006-03-20 |
| 公开（公告）号： | CN101147236A | 公开（公告）日： | 2008-03-19 |
| 发明（设计）人： | 上田和正;西川直宏;土田良彦 | 申请（专利权）人： | 住友化学株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/205 | 分类号： | H01L21/205;H01L33/00;C23C16/01;C23C16/34 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 朱丹 |
| 地址： | 日本国*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供自立式衬底、其制造方法及半导体发光元件。自立式衬底包括半导体层和无机粒子，并且无机粒子被包含在半导体层中。自立式衬底的制造方法依次包括以下的工序(a)～(c)。(a)在衬底上配置无机粒子的工序、(b)生长半导体层的工序、(c)将半导体层与衬底分离的工序。另外，自立式衬底的制造方法依次包括以下的工序(s1)、(a)、(b)及(c)。(s1)在衬底上生长缓冲层的工序、(a)在缓冲层上配置无机粒子的工序、(b)生长半导体层的工序、(c)将半导体层与衬底分离的工序。半导体发光元件包括所述的自立式衬底、传导层、发光层及电极。 | ||
| 搜索关键词： | 立式 衬底 制造 方法 半导体 发光 元件 | ||
【主权项】：
1.一种自立式衬底，包括半导体层和无机粒子，无机粒子被包含在半导体层中。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于住友化学株式会社，未经住友化学株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200680008951.7/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：开销减少的多载波包通信的方法及系统
- 下一篇：悬架装置
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
